Cuestionario Lab Nº9.docx

Simulaciones

CIRCUITO 1

a) La corriente de drenador deja de ser constante en la resistencia de 5K con un voltaje drenador-surtidor de 8.61V. b) El circuito está conformado por una malla “Principal” que aplicando ley de Kirchhoff se obtiene que: el voltaje de la fuente menos el voltaje del potenciómetro menos el voltaje drenador-surtidor menos el voltaje en la resistencia de 1KΩ es igual a cero:

Vcc-VRL-VDS-VRs=0

CIRCUITO 2

CIRCUITO 3

Cuestionario 1. Resultados obtenidos En el primer circuito se observa que los valores de la corriente drenador (ID) no varían más de una vez, es decir, se mantiene constantes con dos valores: 0.58mA y 0.39mA. En el segundo circuito podemos apreciar que a media que la resistencia va aumentando el voltaje compuerta-fuente y el voltaje drenador-fuente aumentan su valor a excepción de la resistencia de 1kΩ que baja a cero. En el tercer circuito las simulaciones nos muestran gráficas con distorsión por lo que se debió cambiar algunos valores para lograr una mejor representación de la misma. 2. Del Circuito 1 podemos decir: El circuito está conformado por una malla “Principal” que aplicando ley de Kirchhoff se obtiene que: el voltaje de la fuente menos el voltaje del potenciómetro menos el voltaje drenador-surtidor menos el voltaje en la resistencia de 1KΩ es igual a cero:

Vcc-VRL-VDS-VRs=0 Conforme la resistencia del potenciómetro va aumentando

el voltaje

drenador-surtidor (VDS) va disminuyendo mientras que la corriente drenador (ID) se mantiene estable y solo varía en ciertos valores

3. Aplicaciones  Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja, uso general, equipo de medida, receptores.  Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones.  Mezclador, baja distorsión de intermodulación, receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones.  Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores, generadores de señales.

   

Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de medición, equipos de prueba. Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores operacionales, control de tono en órganos. Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequeña de acoplamiento, audífonos para sordera, transductores inductivos. Control de un motor DC.

4. En un cuadro realice la comparación entre un BJT y un FET.

COMPARACIÓN BJT Controlado por corriente base. Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.

FET Controlado por tensión entre puerta y fuente. Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) o electrones (canal n).

IC es una función de IB.

ID es una función de VGS.

Relación lineal entre IB e IC.

Relación cuadrática entre VGS e ID.

Altas ganancias de corriente y voltaje.

Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.

Ventajas del FET con respecto al BJT     

Generan un nivel de ruido menor que los BJT. Son más estables con la temperatura que los BJT. Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI. Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

Desventajas de los FET   

Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

Conclusiones 

Se recomienda utilizar el respectivo datasheet de los FET para verificar sus características.



Se recomienda calcular con el IDSS y el Vp real, para que los cálculos sean más exactos.



El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente controlada por voltaje



Para que el Transistor FET funcione correctamente las resistencias deben ser lo más exactas posibles.



Los valores de los FET pueden ser diferentes aunque sean del mismo tipo.



Las

mediciones

obtenidas

en

el

laboratorio

confirman

el

comportamiento teórico de los transistores de efecto de campo. 

Se pudo observar que las curvas obtenidas a la salida del FET son similares a las curvas que se obtenían con los BJT.