Clases 13 Y 14
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- Words: 195
- Pages: 15
DISPOSITIVOS UNIPOLARES. EL J-FET Y EL MESFET
Árbol de la familia de los transistores de efecto de campo.
Modelo Schockley de una unión del transistor de efecto de campo
Curva característica básica I-V del JFET. Se muestra las regiones lineal, de saturación y de ruptura. Vp es la tensión de PinchOff. Para una tensión dada VG, la corriente y la tensión a partir de la cual se genera la saturación se describen como: IDSAT y VDSAT.
LA DISTRIBUCIÓN DE CARGA UNIFORME
LA DISTRIBUCIÓN DE CARGA ARBITRARIA
EL FET EN MODO DE ENRIQUECIMIENTO
MOVILIDAD DEPENDIENTE DEL CAMPO
Transconductancia normada en función de (VG+Vbi)/VP
EL MODELO DE DOS REGIONES Modelo de dos regiones. La Región I muestra constante movilidad y la región II muestra velocidad saturada. La velocidad inicia la saturación para la anchura de la región de vaciamiento YC.
COMPORTAMIENTO BIDIMENSIONAL
Perfil del campo eléctrico y curva característica corriente-tensión de un MESFET de Si para diferentes condiciones de polarización de compuerta y drenaje
COMPORTAMIENTO BIDIMENSIONAL
EL CIRCUITO EQUIVALENTE DE PEQUEÑA SEÑAL
a- Circuito equivalente de un MESFET
b- Origen físico de los elementos del circuito
LIMITACIONES DE POTENCIA Y FRECUENCIA
COMPORTAMIENTO AL RUIDO
ESTRUCTURAS DE DISPOSITIVOS
Árbol de la familia de los transistores de efecto de campo.
Modelo Schockley de una unión del transistor de efecto de campo
Curva característica básica I-V del JFET. Se muestra las regiones lineal, de saturación y de ruptura. Vp es la tensión de PinchOff. Para una tensión dada VG, la corriente y la tensión a partir de la cual se genera la saturación se describen como: IDSAT y VDSAT.
LA DISTRIBUCIÓN DE CARGA UNIFORME
LA DISTRIBUCIÓN DE CARGA ARBITRARIA
EL FET EN MODO DE ENRIQUECIMIENTO
MOVILIDAD DEPENDIENTE DEL CAMPO
Transconductancia normada en función de (VG+Vbi)/VP
EL MODELO DE DOS REGIONES Modelo de dos regiones. La Región I muestra constante movilidad y la región II muestra velocidad saturada. La velocidad inicia la saturación para la anchura de la región de vaciamiento YC.
COMPORTAMIENTO BIDIMENSIONAL
Perfil del campo eléctrico y curva característica corriente-tensión de un MESFET de Si para diferentes condiciones de polarización de compuerta y drenaje
COMPORTAMIENTO BIDIMENSIONAL
EL CIRCUITO EQUIVALENTE DE PEQUEÑA SEÑAL
a- Circuito equivalente de un MESFET
b- Origen físico de los elementos del circuito
LIMITACIONES DE POTENCIA Y FRECUENCIA
COMPORTAMIENTO AL RUIDO
ESTRUCTURAS DE DISPOSITIVOS
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