Clase 9 Y 10

TRANSISTOR BIPOLAR

SIMBOLOS Y NOMENCLATURA

CONFIGURACIONES

Base Comun

Emisor Comun

Colector Comun

FORMULAS RELACIONES BÁSICAS DE CORRIENTE-TENSIÓN

GANANCIA DE CORRIENTE

TRANSISTOR BIPOLAR Transistor PNP, base comun, trabaja como amplificador

Diagrama de banda de Energía bajo un régimen de operación normal

Transistor con una distribución abrupta de impurezas

TRANSISTOR BIPOLAR Corriente del colector y base en función de la tensión emisor- base

DISTRIBUCION DEL CAMPO ELECTRICO EN RELACION A LA DISTANCIA PARA VARIAS DENSIDADES DE CORRIENTE DE COLECTOR

TRANSISTOR BIPOLAR GANACIA DE CORRIENTE EN FUNCION DE LA CORRIENTE DEL COLECTOR

CURVA CARACTERISTICA DE UN TRANSISTOR PNP Curva característica de salida, Base común

Curva característica de salida, Emisor común

MODELO EBERS-MOLL

MODELO CON RESISTENCIA EN SERIES Y CAPACIDA DE VACIAMIENTO

MODELO BASICO

MODELO CON FUENTES DE CORRIENTES ADICIONALES

TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS FRECUENCIA DE CORTE

TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS

* Parámetros

CARECTERISTICAS DE ANALISIS EN MICROONDAS Circuito equivalente simplificado de microondas , Base común

Circuito equivalente simplificado de microondas , Emisor común

GEOMETRIA DE 3 TIPOS DE TRANSISTORES DE MICROONDAS a-Intercalado b-De revestimiento c-De malla.

ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR CON VARILLAS DE PLOMO Esquema

Vista superior de un transistor

CARECTERISTICAS DE ANALISIS EN MICROONDAS Estructura de transistores con electrodos reforzados

Estructura de transistores con implantación de la base

TRANSISTOR DE POTENCIA • Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa la temperatura Tj de la unión. • El máximo de Tj está limitado por la temperatura para la cual la región de la Base se hace intrínseca. • Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el colector se cortocircuita efectivamente con el emisor. • Para mejorar el funcionamiento del transistor se debe desarrollar encapsulados que proporcionen una adecuada disipación del calor

• Una técnica usual para distribuir la corriente unifórmenle en Transistores de tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar una resistencia de emisor distribuido RE. •. Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor particular será limitado por el resistor. •Este tipo de resistores series se describen normalmente como resistores de estabilización o resistores de carga de emisor.

COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA RESISTENCIA DE ESTABILIZACION DEL EMISOR

a-Distribución de la densidad de corriente b-Distribución de la temperatura a lo largo del centro de la unión base-emisor

FENOMENO DE RUPTURA SECUNDARIA

FENOMENO DE RUPTURA SECUNDARIA

TRANSISTOR CONMUTADOR

TRANSISTOR CONMUTADOR

PARAMETROS

CORRIENTES EQUIVALENTES PARA UN TRANSISTOR CONMUTADOR a-En región I y II b-En la región III.