Semiii Batycki 1 Kolo

  • November 2019
  • PDF

This document was uploaded by user and they confirmed that they have the permission to share it. If you are author or own the copyright of this book, please report to us by using this DMCA report form. Report DMCA


Overview

Download & View Semiii Batycki 1 Kolo as PDF for free.

More details

  • Words: 327
  • Pages: 1
1.TRANZYSTOR: Ie=Ic+Ib, ß=Ic/Ib, a=Ic/Ie, gm=Ic/Ut A)model π – lepszy jeżeli rezystor w kolektorze, gm=Ic/Ut , rπ=ß/gm, r0=Ua/Ic B)model T – lepszy jeżeli rezystor w emiterze, re=Ut/Ie . C)temperatura: ICB0=ICB0(25st)*2^(Δt/10), ß(T)= ß(25st)*(1+ Δt/80) 2.TRANZYSTOR POLOWY: A)stan triodowy UGS-UT>UDS : ID=Ku*w/l*[(UGS-Ut)UDS – 0,5UDS2] B)stan nasycenia: UGS-UT
1.TRANZYSTOR: Ie=Ic+Ib, ß=Ic/Ib, a=Ic/Ie, gm=Ic/Ut A)model π – lepszy jeżeli rezystor w kolektorze, gm=Ic/Ut , rπ=ß/gm, r0=Ua/Ic B)model T – lepszy jeżeli rezystor w emiterze, re=Ut/Ie . C)temperatura: ICB0=ICB0(25st)*2^(Δt/10), ß(T)= ß(25st)*(1+ Δt/80) 2.TRANZYSTOR POLOWY: A)stan triodowy UGS-UT>UDS : ID=Ku*w/l*[(UGS-Ut)UDS – 0,5UDS2] B)stan nasycenia: UGS-UT
1.TRANZYSTOR: Ie=Ic+Ib, ß=Ic/Ib, a=Ic/Ie, gm=Ic/Ut A)model π – lepszy jeżeli rezystor w kolektorze, gm=Ic/Ut , rπ=ß/gm, r0=Ua/Ic B)model T – lepszy jeżeli rezystor w emiterze, re=Ut/Ie . C)temperatura: ICB0=ICB0(25st)*2^(Δt/10), ß(T)= ß(25st)*(1+ Δt/80) 2.TRANZYSTOR POLOWY: A)stan triodowy UGS-UT>UDS : ID=Ku*w/l*[(UGS-Ut)UDS – 0,5UDS2] B)stan nasycenia: UGS-UT

Related Documents

Semiii Batycki 1 Kolo
November 2019 6
Celebrities Kolo
June 2020 10
Povodjansko Kolo
June 2020 4
Tabla Kolo 086
November 2019 3
Tabla Kolo 090
November 2019 3