1.TRANZYSTOR: Ie=Ic+Ib, ß=Ic/Ib, a=Ic/Ie, gm=Ic/Ut A)model π – lepszy jeżeli rezystor w kolektorze, gm=Ic/Ut , rπ=ß/gm, r0=Ua/Ic B)model T – lepszy jeżeli rezystor w emiterze, re=Ut/Ie . C)temperatura: ICB0=ICB0(25st)*2^(Δt/10), ß(T)= ß(25st)*(1+ Δt/80) 2.TRANZYSTOR POLOWY: A)stan triodowy UGS-UT>UDS : ID=Ku*w/l*[(UGS-Ut)UDS – 0,5UDS2] B)stan nasycenia: UGS-UT
1.TRANZYSTOR: Ie=Ic+Ib, ß=Ic/Ib, a=Ic/Ie, gm=Ic/Ut A)model π – lepszy jeżeli rezystor w kolektorze, gm=Ic/Ut , rπ=ß/gm, r0=Ua/Ic B)model T – lepszy jeżeli rezystor w emiterze, re=Ut/Ie . C)temperatura: ICB0=ICB0(25st)*2^(Δt/10), ß(T)= ß(25st)*(1+ Δt/80) 2.TRANZYSTOR POLOWY: A)stan triodowy UGS-UT>UDS : ID=Ku*w/l*[(UGS-Ut)UDS – 0,5UDS2] B)stan nasycenia: UGS-UT
1.TRANZYSTOR: Ie=Ic+Ib, ß=Ic/Ib, a=Ic/Ie, gm=Ic/Ut A)model π – lepszy jeżeli rezystor w kolektorze, gm=Ic/Ut , rπ=ß/gm, r0=Ua/Ic B)model T – lepszy jeżeli rezystor w emiterze, re=Ut/Ie . C)temperatura: ICB0=ICB0(25st)*2^(Δt/10), ß(T)= ß(25st)*(1+ Δt/80) 2.TRANZYSTOR POLOWY: A)stan triodowy UGS-UT>UDS : ID=Ku*w/l*[(UGS-Ut)UDS – 0,5UDS2] B)stan nasycenia: UGS-UT
Related Documents