Semana 06

Dispositivos unipolares Unión metal-semiconductor

Polarizacion Inversa (Disminuye la barrera)

Polarizacion Directa (Aumenta la barrera)

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Transporte sobre la barrera (Shocttky) Efecto Túnel Recombinación de carga espacial Inyección de huecos del metal al semiconductor

Dispositivos unipolares Unión metal-semiconductor •

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Al cortar el semiconductor se elimina la periodicidad del cristal. Incrementándose el numero de estados libres en la superficie del semiconductor En el lado del metal apareen cargas reflejadas (efecto espejo). Disminuye la barrera de energía.

Dispositivos unipolares Fenómeno de Transporte de Corrientes •

Modelo Termoiónico Emisión Termoiónica: Flujo de densidad de corriente en los dos sentidos. Similar unión pn Densidad de corriente de Saturación

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Modelo del proceso de difusión: Depende menos de la temperatura, respecto al termoiónico, depende mas de la polarizacion.

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Modelo Mixto – Termoiónico y Difusión

Dispositivos unipolares Corriente Túnel Depende altamente del dopado, mayor a 10^17. el alto dopado también disminuye el tiempo de recombinación Ts, esto hace a la unión metal-semiconductor muy importante para aplicaciones en alta frecuencia. Depende también de la temperatura ya que la temperatura aumenta la agitación de la estructura del cristal

Dispositivos unipolares Inyección de portadores, Corriente de Saturación Densidad de la corriente de saturación en función de la concentración de dopado de Barreras de Au-Si para tres diferentes temperaturas.

Dispositivos unipolares Barrera de potencial Se puede definir a partir de la pendiente “S”. Aparece la electronegatividad que afecta a la barrera

La disminución de la barrera es proporcional al campo externo aplicado

Dispositivos unipolares Barrera de potencial, Características

Ubicación del nivel de Fermi superficial para algunos metales y el oxígeno sobre GaAs, GaSb y InP.

Barrera alta en función de la electronegatividad de metales depositados sobre Si, GaSe, y SiO2.

Dispositivos unipolares Barrera de potencial, Corriente - Voltaje

Densidad de corriente en polarización directa en función de la tensión aplicada de diodos W-Si y W-GaAs.

Dispositivos unipolares Anillo protector

En la superficie del metal hay irregularidades que hacen que se llegue mas rápido a ruptura, se agrega un anillo protector para evitar este efecto

Dispositivos unipolares Corriente de Saturación

Corriente de saturación real (afectada por efectos de la unión)

Corriente de saturación ideal