U.N.M.S.M FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES APELLIDOS Y NOMBRES
MATRICULA
Cerna Cordero Franco Emmanuel
17190151
CURSO
TEMA
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP AF178 LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
INFORME
FECHAS
NOTA
REALIZACIÓN
ENTREGA
17 DE OCTUBRE DEL 2018
24 DE OCTUBRE DEL 2018
PREVIO
NUMERO 6
I. II.
GRUPO 3
PROFESOR
MARTES DE 2-4 PM
ING. LUIS PARETTO QUISPE
TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP AF178 OBJETIVOS:
Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
III.
Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.
Introducción teórica. TRANSISTOR BIPOLAR Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados PNP. A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente análogo. El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora más fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su función es la de emitir electrones a la base. La base es la zona más estrecha y se encuentra débilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona más ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base. CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector. El transistor posee tres zonas de funcionamiento: 1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado. 2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa. 3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la
corriente de colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto. IV.
RESOLUCION TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:
Trabajamos con el transistor AF178
POLARIDAD: PNP MATERIAL: GERMANIO (Ge) GANANCIA DE CORRIENTE (β) = β =50
Datos del circuito:
Re=330Ω Rc=1kΩ R1=56KΩ R2= 22KΩ. Vcc= -12v
Hacemos el equivalente de Thevenin del circuito:
Rb =
(R1+P1)×R2 (R1+P1)+R2
R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2
Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las siguientes tablas. OBSERVACIÓN: El transistor AF178 está hecho de GERMANIO y es PNP, entonces su VBE (activa) y su “β” es respectivamente:
β = 50
VBE= 0.2v TABLA 2
Hallando el Rb:
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω) Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
R1×R2
Ic = (-97.596 µA)(50)
Rb = R1+R2
Ic = -4.879 mA
56K×22K
Rb = (56+22)K
Rb = 15.794k Ω
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
Hallando el V: V=
R2×Vcc R1+R2
V=
22k×(−12) (56+22)𝑘
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc VCE = -12 – (-4.879×10−3 − 97.596𝑥10−6 )330+4.879×10−3 ×103
VCE = -5.47v
V = - 3.3846 v
Hallando Ib:
Hallando VE: VBE = VB - VE……. (VB = V)
V+VBE Ib=Rb+(β+1)Re
VE = V - VBE VE = - 3.3846 – (0.2)
−3.384+0.2
Ib=15.794×103 +(50+1)330
VE = -3.5846 v
Ib = -97.596 µA
Valores (R1= 56K Ω)
IC(mA.)
Ib(uA.)
Β
VCE(v.)
VBE(v.)
Teóricos
-4.879
-97.596
50
-5.47v
0.2
VE(v.) -3.5846
TABLA 3 (Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω) Hallando el Rb:
R1×R2
Rb = R1++R2
Hallando Ic:..( Ic = Ib×β) Ic = (-93.683 µA) (50)
68K×22K
Rb = (68+22)K
Ic = -4.684mA
Rb = 16.623k Ω
Hallando el V:
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie) Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
V=
R2×Vcc R1+R2
VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
V=
22k×(−12) (68+22)𝑘
VCE = -12 – (-4.684×10−3 − 93.683𝑥10−6 )330+4.684×10−3 × 103
V = - 2.934 v
VCE = -5.739v
Hallando Ib:
V−VBE Rb+(β+1)Re
Ib=
Hallando VE: VBE = VB - VE……. (VB = V) VE = V - VBE
−2.934−(0.2)
Ib=16.623×103 +(50+1)330
VE = - 2.934 – (0.2)
Ib = -93.683µA
VE = -3.134 v
Valores (R1= 68K Ω)
IC(mA.)
Ib(uA.)
β
VCE(v.)
VBE(v.)
VE(v.)
Teóricos
-4.684
-93.683
50
-5.739
0.2
-3.134
TABLA 5 (Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V: R2×Vcc
V = R1+P1+R2 22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘 V = -1.483 v Hallando Ib: V−V
BE Ib=Rb+(β+1)Re
−1.483−(0.2)
Ib=19.2808×103 +(50+1)330 Ib = -46.606 µA Hallando Ic:..( Ic = Ib×β) Ic = (-46.606µA) (50) Hallando el Rb: Rb =
(R1+P1)×R2 R1+P1+R2
Ic = -2.330mA Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie) Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
156K×22K
Rb = (56+100+22)K Rb = 19.2808k Ω
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re VCE = -12 – (-2.330×10−3 )×1000-(2.330×10−3 -46.606×10−6 )×330
VCE = -8.885 v
(Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V: R2×Vcc
V = R1+P1+R2 22k×(−12)
V = (56+250+22)𝑘 V = -0.8048 v Hallando Ib: V−V
BE Ib=Rb+(β+1)Re
−0.8048−(0.2)
Ib=20.524×103 +(50+1)330 Ib = -26.899 µA Hallando Ic:..( Ic = Ib×β) Ic = (-26.899 µA) (50) Ic = -1.344 mA Hallando el Rb: Rb =
(R1+P1)×R2
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie) Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
R1+P1+R2 306K×22K
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
Rb = (56+250+22)K VCE = -12 – (-1.344×10−3 )×1000-(-
Rb = 20.524k Ω
1.344×10−3 -26.899×10−6 )×330
VCE = -10.20 v
(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V: R2×Vcc
V = R1+P1+R2 22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘 V = -0.4567 v Hallando Ib: V−V
BE Ib=Rb+(β+1)Re
−0.4567−(0.2)
Ib=21.162×103 +(50+1)330 Ib = -17.285 µA Hallando Ic:..( Ic = Ib×β) Ic = (-17.285 µA) (50) Hallando el Rb: Rb =
(R1+P1)×R2 R1+P1+R2 556K×22K
Rb = (56+500+22)K Rb = 21.162k Ω
Ic = -0.864 mA Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie) Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re VCE = -12 – (-0.864×10−3 )×1000-(0.864×10−3 -17.285×10−6 )×330
VCE = -10.84 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V: R2×Vcc
V = R1+P1+R2 22k×(−12)
V = (56+1000+22)𝑘 V = -0.245 v Hallando Ib: V−V
BE Ib=Rb+(β+1)Re
−0.245−(0.2)
Ib=21.551×103 +(50+1)330 Ib = -11.594µA Hallando Ic:..( Ic = Ib×β) Ic = (-11.594 µA)(50) Hallando Rb: Rb =
(R1+P1)×R2
Ic = -0.579mA
R1+P1+R2
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie) 1056K×22K
Rb = (56+1000+22)K
Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
Rb = 21.551k Ω
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re VCE = -12 – (-0.579×10−3 )×1000-(0.579×10−3 -11.594×10−6 )×330
VCE = -11.227v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos:
P1
100K Ω
250K Ω
500K Ω
1M Ω
Ic(mA)
-2.330
-1.344
-0.864
-0.579
Ib(uA)
-46.606
-26.899
-17.285
-11.594
VCE (v)
-8.885
-10.20
-10.84
-11.227