Semana 05

Transistor Bipolar Nomenclatura

Símbolos

p-n-p

n-p-n

Transistor Bipolar Características estáticas Conectado en base común para aplicaciones de amplificación

Perfil de dopado de un transistor con distribución abrupta de impurezas

Diagrama de bandas de energía bajo operación normal

Transistor Bipolar Relación básica entre tensión y corriente Corriente del colector y de la base, en función de la tensión emisor-base

Ganancia de corriente

Transistor Bipolar Ganancia de Corriente Ganancia de corriente en función de la corriente del colector

Ganancia de corriente calculada comparada con la ganancia de corriente obtenida experimentalmente en función de la corriente del colector

Transistor Bipolar Características de salida Las tensiones aplicadas controlan las densidades de frontera a través del término: exp(qV/kT). Las corrientes de emisor y colector están dadas para los gradientes de las densidades de portadores minoritarios (Huecos) en las fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W. La corriente de Base es la diferencia entre las corrientes de emisor y colector.

Transistor Bipolar Curvas características

Configuración de base común

Configuración de emisor común

Transistor Bipolar Modelo Ebers - Moll

Modelo con fuentes adicionales (Efecto Early)

Características de análisis en microondas

Red de dos puertos donde se muestra la onda incidente (a1,a2)y onda reflejada (b1,b2)usadas en la definición de los parámetros S.

Parametros “S” S11 = Coeficiente de reflexión de entrada S22 = Coeficiente de reflexión de salida S12 = Ganancia de transmisión inversa S21 = Ganancia de transmisión directa

Características de análisis en microondas Factor de estabilidad Ganancia máxima Ganancia unilateral Frecuencia máxima

Características de análisis en microondas Circuitos Equivalentes

Base común

Emisor común

EL TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS

Estructura de un transistor de varillas de plomo

Características de análisis en microondas Ganancia y potencia en función de la frecuencia

Transistor de potencia Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa la temperatura Tj de la unión. El máximo de Tj está limitado por la temperatura para la cual la región de la Base se hace intrínseca. Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el colector se cortocircuita efectivamente con el emisor. Una técnica usual para distribuir la corriente uniformemente en Transistores de tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar una resistencia de emisor distribuido RE. Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor particular será limitado por el resistor. Este tipo de resistores series se describen normalmente como resistores de estabilización o resistores de carga de emisor.

El Transistor de potencia comportamiento de la temperatura

El Transistor de potencia Fenómeno de segunda ruptura Curva característica corriente-tensión de una segunda ruptura