Led
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- Words: 536
- Pages: 12
2009. 08. 13 AiMS 부산 연구소
• 서울반도체 및 나이트라이트일 ) : 2 개의 본딩 패드 사용 (100,500) : 100 지점에 (+) 전압이 걸릴 경우 아래의 발광 다이오드셀이 도통하여 발광하게 되고 , (-) 전압이 걸리게 되면 위의 발광 다이 오드셀이 도통한다 . 교류의 경우 일반적으로 60hz 에서 동작하 기 때문에 눈으로는 깜밖임이 확인되지 않기 때문에 계속 불이 들 어온것 처럼 보임 .
가정에서 사용되는 50~60hz 의 Peak 전압이 약 300V 에 의한 고전류가 흐르게 됨 전류에 의한 발광 다이오드의 손상을 막기 위해 900 과 같은 저항을 넣음 저항으로 인한 전력 소모 증가
기본 회로는 발광 다이오드를 직렬연결하기 때문에 전체 가 같은 크기의 밝기를 가지기 위하여 수 V 의 전압이 인 가 되어야 하지만 , 입력 정현파의 특정 범위에서는 인가 되어야 할 전압보다 낮아서 빛이 발생하지 않게 됨 . 발광하지 않는 부분에 의하여 빛이 깜빡 거리는 현상이 발생 하는데 이 현상을 플리커라고 함 . 플리커 발생
플리커 발생 제거 회로 그림에서와 같이 발광 다이오드 를 순차적으로 증가 시킴 낮은 전압에서 전류가 흐르지 않아 발광되지 않는 단점을 보 안 할 수 있음 . 각 저항은 각각의 다이오드 셀 블록간의 저항값을 일정하게 만 들기 위해 사용됨 ◦ 동일한 전압인가를 위하여 . 인가되는 AC 전압에 따라 각 블록안의 발광 다이오드 개수를 다르게 함 저항값은 break-down 현상을 막기 위하여 R1 을 가장크게하 고 순차적으로 작게 만듬
전압이 A 위치에 있게 되면 앞의 회로에서 첫번째 발광 블록이 Trun on 되며 , 전압이 B, C 포인 트에 다다르게 되면 앞 회로의 순 방향 4 개의 블록은 모두 turn on 된다 . 그림 (b) 에서와 같이 회로의 첫 번째 셀 블록에 대한 bias 전압이 전에서는 여전히 불이 들어오지 않음을 알 수 있음 .
브릿지 정류회로를 이용하여 (-) 부분의 정현파 신호를 (+) 로 만들어서 처리 정류회로가 추가되지만 , 발광소자 부분 의 크기가 줄어듬
발광장치 2 와 같은 형태이며 , 결과도 같음 . 아래 그림은 왼쪽 및 앞의 회로에 대한 결 과를 나타냄 .
AC 용 발광부와 직렬로 연결됨 정류된 전압 VR 에 의해서 전류 조절부 동작 VC 전압을 통하여 흐르는 IC 를 조절 IC 조절을 통하여 발광부의 입력 전류 조절 , 즉 광량을 조절 할 수 있음 25 번의 저항은 미세전류의 흐름을 차단하기 위한 저항임 교류 구동 LED( 발광부 ) 의 턴온 등가 저항보다 낮은 저항값을 가져야 함
Id 는 VC 에 의한 가변저항의 크기에 따라 조절됨 . Id 의 크기가 발광소자의 광세기에 영향을 미치게 됨 VC 에 의한 가변저항의 크기가 증가되면 , VGS 전압이 커지고 VTH 보다 커 지면 ISD 가 흐르기 시작하면서 발광부가 턴온된다 .
Ex)
교류전원 ( 최대값 약 300V 를 갖는 200V) 발광부 ( 교류 구동 LED) 턴온 전압 : 100V 병렬저항 (25) : 300kΩ 고정저항 (342) : 2M Ω 가변저항 (343) : Max 500kΩ
가변저항 값이 낮아 MOSFET 이 턴오프 병렬저항 40V 의 전압 걸림 암전 상태 가변저항 값이 높아져서 VGS 전압이 VTH 보다 높아 지면 IDS 전류가 흐 름 병렬 저항 양단에 전류가 흐르지만 , 양단의 전압이 발광부의 턴온 전 압에 미치지 못할 경우 암전 상태 유지 가변저항 크기를 더 높임 IDS 전류가 높아짐 병렬 저항 양단 전압이 100V 이상 발광부 턴온
특허 ◦ 등록번호 : 10-0803162 ◦ 10-0878852 ◦ 출원번호 : 10-2007-0095041 10-2007-0066113
• 서울반도체 및 나이트라이트일 ) : 2 개의 본딩 패드 사용 (100,500) : 100 지점에 (+) 전압이 걸릴 경우 아래의 발광 다이오드셀이 도통하여 발광하게 되고 , (-) 전압이 걸리게 되면 위의 발광 다이 오드셀이 도통한다 . 교류의 경우 일반적으로 60hz 에서 동작하 기 때문에 눈으로는 깜밖임이 확인되지 않기 때문에 계속 불이 들 어온것 처럼 보임 .
가정에서 사용되는 50~60hz 의 Peak 전압이 약 300V 에 의한 고전류가 흐르게 됨 전류에 의한 발광 다이오드의 손상을 막기 위해 900 과 같은 저항을 넣음 저항으로 인한 전력 소모 증가
기본 회로는 발광 다이오드를 직렬연결하기 때문에 전체 가 같은 크기의 밝기를 가지기 위하여 수 V 의 전압이 인 가 되어야 하지만 , 입력 정현파의 특정 범위에서는 인가 되어야 할 전압보다 낮아서 빛이 발생하지 않게 됨 . 발광하지 않는 부분에 의하여 빛이 깜빡 거리는 현상이 발생 하는데 이 현상을 플리커라고 함 . 플리커 발생
플리커 발생 제거 회로 그림에서와 같이 발광 다이오드 를 순차적으로 증가 시킴 낮은 전압에서 전류가 흐르지 않아 발광되지 않는 단점을 보 안 할 수 있음 . 각 저항은 각각의 다이오드 셀 블록간의 저항값을 일정하게 만 들기 위해 사용됨 ◦ 동일한 전압인가를 위하여 . 인가되는 AC 전압에 따라 각 블록안의 발광 다이오드 개수를 다르게 함 저항값은 break-down 현상을 막기 위하여 R1 을 가장크게하 고 순차적으로 작게 만듬
전압이 A 위치에 있게 되면 앞의 회로에서 첫번째 발광 블록이 Trun on 되며 , 전압이 B, C 포인 트에 다다르게 되면 앞 회로의 순 방향 4 개의 블록은 모두 turn on 된다 . 그림 (b) 에서와 같이 회로의 첫 번째 셀 블록에 대한 bias 전압이 전에서는 여전히 불이 들어오지 않음을 알 수 있음 .
브릿지 정류회로를 이용하여 (-) 부분의 정현파 신호를 (+) 로 만들어서 처리 정류회로가 추가되지만 , 발광소자 부분 의 크기가 줄어듬
발광장치 2 와 같은 형태이며 , 결과도 같음 . 아래 그림은 왼쪽 및 앞의 회로에 대한 결 과를 나타냄 .
AC 용 발광부와 직렬로 연결됨 정류된 전압 VR 에 의해서 전류 조절부 동작 VC 전압을 통하여 흐르는 IC 를 조절 IC 조절을 통하여 발광부의 입력 전류 조절 , 즉 광량을 조절 할 수 있음 25 번의 저항은 미세전류의 흐름을 차단하기 위한 저항임 교류 구동 LED( 발광부 ) 의 턴온 등가 저항보다 낮은 저항값을 가져야 함
Id 는 VC 에 의한 가변저항의 크기에 따라 조절됨 . Id 의 크기가 발광소자의 광세기에 영향을 미치게 됨 VC 에 의한 가변저항의 크기가 증가되면 , VGS 전압이 커지고 VTH 보다 커 지면 ISD 가 흐르기 시작하면서 발광부가 턴온된다 .
Ex)
교류전원 ( 최대값 약 300V 를 갖는 200V) 발광부 ( 교류 구동 LED) 턴온 전압 : 100V 병렬저항 (25) : 300kΩ 고정저항 (342) : 2M Ω 가변저항 (343) : Max 500kΩ
가변저항 값이 낮아 MOSFET 이 턴오프 병렬저항 40V 의 전압 걸림 암전 상태 가변저항 값이 높아져서 VGS 전압이 VTH 보다 높아 지면 IDS 전류가 흐 름 병렬 저항 양단에 전류가 흐르지만 , 양단의 전압이 발광부의 턴온 전 압에 미치지 못할 경우 암전 상태 유지 가변저항 크기를 더 높임 IDS 전류가 높아짐 병렬 저항 양단 전압이 100V 이상 발광부 턴온
특허 ◦ 등록번호 : 10-0803162 ◦ 10-0878852 ◦ 출원번호 : 10-2007-0095041 10-2007-0066113
