Elda Igbt Pemanfaatan Pwm.docx

1. Unduh datasheet dari https://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=FGH40N60SFD 1. Berapa nilai maksimum collector to emitter voltage? Jawab: Nilai maksimum pada collector to emitter voltage adalah 600 V 2.

Berapa nilai arus kolektor tertinggi pada kondisi panas komponen yang tertinggi? Jawab: Nilai arus pada posisi 25 derajat celcius adalah 80 A dan pada posisi 100 derajat celcius adalah 40 A 3. Berapakah nilai G-E threshold voltage terkecil? Jawab: Nilai G-E threshold voltage yang paling terkecil adalah 4,0 V

4.

2.

Berapakah nilai Collector to Emitter Saturation Voltage? Jawab: Jika pada kondisi dimana arus sama dengan 40 A dan tegangan 15 V maka tegangan Max. akan menjadi 2,9 V dan tegangan Typ. menjadi 2,3 V Lihat, baca, dan simak informasi pada halaman: https://sunupradana.info/pe/2016/03/22/simulasi-igbt-sebagai-sakelar/ 1. Apa tipe IGBT yang dipergunakan? Jawab: Tipe IGBT yang dipergunakan adalah STGP7NC60HD 2. Lakukan analisis terhadap data dan informasi yang tersedia di halaman tersebut, lalu dengan kata-kata anda sendiri jelaskan analisis anda. Jawab: Dari halaman tersebut dapat dianalisa, pada gambar 21 karakteristik switching IGBT pada saat waktu mengaktifkan, t-on yang memiliki dua komponen yaitu : 1. Waktu Tunda (tdn) Waktu di mana Arus Kolektor naik dari ICE arus bocor ke 0,1 IC (Arus kolektor akhir) dan tegangan emitor kolektor jatuh dari VCE ke 0,9 VCE. 2. Waktu Naik (tr) Waktu di mana arus kolektor naik dari 0,1 IC ke IC dan tegangan emitor kolektor turun dari 0,9 VCE ke 0,1 VCE. Hasil pengujian IGBT pada LT-Spice gambar 15. Menghasilkan tegangan Vout yang hampir sama dengan Vout perhitungannya.Hal ini dapat terlihat dari bentuk sinyal gelombang keluarannya, yaitu bentuk gelombang ketika naik dan turun sudah hampir sama (persegi). 3. http://www.vanner.com/PID3160173.pdf “Philosophy of Topology and Components Selection for Cost and Performance in Automotive Converters.”

1. Apa saja 3 syarat utama bagi perangkat elektronik di dunia otomotif, sebagaimana disebutkan dalam makalah? Jawab: Persyaratan utama umum peralatan elektronik untuk industri otomotif,ialah :  Cost (biaya)  Reliability (Keandalan)  Electromagnetic Compatibility EMI (Kecocokan elektromagnetik) 4. https://www.toshiba.com/tic/datafiles/ups/Diode_FrontEnd_Advantages_White_Paper _SNU_11_10_2008_64.pdf UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY SYSTEMS 1. Berdasarkan informasi yang tersedia dalam dokumen itu, lakukan pembandingan antara sistem yang mempergunakan SCR dengan yang mempergunakan IGBT. Jawab: Perbandingannya IGBT  Mengurangi Modul UPS AC-DC dan Keseluruhan AC-AC Efisiensi  Tidak Ada Biaya Modul UPS Kompetitif  Kinerja Konverter Luar Biasa  Kemampuan daya konverter tinggi Sedangkan SCR    

2.

Mengurangi Modul UPS AC-DC dan Keseluruhan AC-AC Efisiensi Ada Biaya Modul UPS Kompetitif Kinerja Konverter Buruk Kemampuan daya konverter tinggi

Mengapa IGBT yang dipergunakan dalam sistem tersebut, apa saja keunggulannya? Jawab: Karena sangat efisien, harga kompetitif, kinerja tinggi dan sistem UPS berkapasitas besar. keunggulannya tidak ada biaya modul UPS kompetitif,kinerja konverter luar biasa 5. Silahkan saksikan dan simak dengan baik video: https://www.youtube.com/watch?v=wZ1qIy_auCI 1. Secara umum, apa saja keunggulan dan kelemahan teknologi MOSFET dan IGBT? Lakukan perbandingan. Jawab: a. Keunggulan MOSFET :  Memiliki rugi switching yang rendah  Merupakan teknologi mutakhir  Dapat bekerja hingga tegangan 1700 volt  Memiliki rugi switching 6 kali lebih rendah  Tidak memerlukan banyak tempat



Memiliki prinsip lebih dingin,lebih pintar,dan lebih baik

Kerugian MOSFET :  Harganya mahal  MOSFET tradisional tidak dapat menangani tegangan yang lebih tinggi b. Keunggulan IGBT :  Dapat menangani tegangan yang tinggi  Harganya terjangkau Kerugian IGBT :   

Memiliki rugi switching yang tinggi Memiliki rugi switching 6 kali lebih tinggi Memerlukan banyak tempat

2. Mengapa dalam video itu dinyatakan bahwa teknologi “Cree MOSFET” lebih baik dari IGBT? Jawab: Dalam video dikatakan bahwa teknologi CREE MOSFET lebih baik dari IGBT karena CREE MOSFET merupakan pilihan terbaik untuk konversi daya frekuensi tinggi. CREE MOSFET juga merupakan teknologi mutakhir yang memiliki prinsip lebih dingin,lebih pintar dan lebih baik dibandingkan dengan IGBT. Cree juga telah memberi kemajuan besar dalam teknologi MOSFET yang telah mengubah konversi daya menjadi berbagai macam pilihan. 3. Bagaimana Cree memperbaiki kinerja MOSFET? Jawab: Cara Cree memperbaiki kerja MOSFET adalah dengan cara menggabungkan MOSFET terbaik menggunakan teknologi mutakhir dengan tegangan mencapai 1700 volt dan rugi switching 6 kali lebih rendah. 4. Melalui kata-kata kunci dalam video itu, carilah keterangan lebih lanjut di internet mengenai apakah yang dimaksud dengan Cree MOSFET itu? Jawab: Cree merupakan revolusi pencahayaan LED dan membuat teknologi pencahayaan energi yang terbuang menjadi LED yang hemat energy dan bebas merkuri. Cree adalah inovator pasar terkemuka untuk LED kelas pencahayaan, pencahayaan LED, dan produk semikonduktor untuk aplikasi daya dan frekuensi radio (RF). Rangkaian produk Cree meliputi perlengkapan dan lampu LED, chip LED biru dan hijau, LED kecerahan tinggi, LED daya kelas pencahayaan, perangkat switching daya, dan perangkat RF. produk Cree mendorong peningkatan dalam aplikasi seperti penerangan umum, cahaya latar, tanda dan sinyal elektronik, pemasok daya dan inverter surya. Cree Inc merupakan pemimpin pasar dalam produk daya silikon karbida (SiC), yang memperkenalkan terobosan terbaru dalam teknologi perangkat daya SiC: platform MOSFET 900 -V pertama di industri. Dioptimalkan untuk aplikasi elektronik daya frekuensi tinggi, termasuk inverter energi-terbarukan, sistem pengisian kendaraan listrik, dan catu daya

industri tiga fase, platform 900-V yang baru memungkinkan sistem konversi daya generasi mendatang yang lebih kecil dan lebih efisien dengan biaya setara dengan solusi berbasis silikon. MOSFET silikon 900-V yang ada memiliki keterbatasan untuk rangkaian switching frekuensi tinggi karena kerugian switching yang sangat tinggi. Lebih lanjut membatasi penggunaan silikon MOSFET adalah RDS (ON) yang meningkat tiga kali lipat dari suhu, yang menyebabkan masalah termal dan penurunan yang signifikan. Sebagai alternatif, teknologi MOSFET 900 -V Cree yang baru menghasilkan RDS (ON) rendah pada suhu yang lebih tinggi, memungkinkan pengurangan ukuran yang signifikan dari sistem manajemen termal. Merupakan keluarga dari Wolfspeed / Cree C2M ™ Silicon Carbide Power MOSFET menyediakan tegangan dari 1200 V sampai 1700 V. memungkinkan para pengguna untuk mengganti transistor silikon (IGBT) dan mengembangkan rangkaian tegangan tinggi dengan kecepatan switching yang sangat cepat dan kerugian switching yang sangat rendah. Digunakan bersama dengan dioda Wolfspeed C2M SiC Schottky dalam sistem all-SiC, memungkinkan para pengguna mencapai tingkat efisiensi energi, ukuran, dan pengurangan berat yang tidak mungkin dilakukan dengan perangkat daya silikon yang tersedia. Keluarga C2M dari MOSFET didasarkan pada teknologi Wolfspeed Gen2 SiC yang tangguh dan andal, memberikan kerugian switching terendah di kelasnya. Fitur :  Tegangan blocking tinggi dengan RDS (aktif) industri terkemuka  Switching kecepatan tinggi dan kapasitansi rendah  Mudah di paralel dan digunakan  Memiliki parasit induktansi yang rendah  Memiliki source pin yang terpisah  Efisiensi sistem yang lebih tinggi  Bentuk gelombang switching yang halus  Syarat pendinginan lebih mudah  Frekuensi switching sistem meningkat Aplikasi :  Auxiliary power supplies  High-voltage capacitive loads  Solar inverters  High voltage DC/DC converters  Motor drives  Switch Mode Power Supplies  UPS

6. Mengapa IGBT masih banyak dan memang merupakan standar umum untuk perangkat sistem pengelasa listrik? Sertakan argumen anda dengan 3 link (bukan blogsopt/wordpress). Jawab:

karena dapat menangani te gangan yang tinggi dan harganya sangat terjangkau 1. https://www.wikikomponen.com/pengertian-definisi-dan-aplikasi-igbt-dalamelektronik/ 2. https://spesialisups.com/2018/06/30/igbt/ 3. https://www.glodokharco.online/mengenal-komponen-igbt-insulated-gate-bipolartransistor/ 7. Buat simulasi dengan menggunakan LTspice, cantumkan isi file rangkaian dan screenshot rangkaian+ hasil untuk penyakelaran dengan menggunakan MOSFET : 1. LED, PWM 20%, 100 Hz Jawab: 2.

LED, PWM 60%, 200 Hz Jawab:

3. Bandingkan antara kedua pengaturan itu terutama pada untuk kerja MOSFET, buat analisisnya. Jawab: