Tranzistoare: Proiect Realizat De: Gabrian Andrei

TRANZISTOARE PROIECT REALIZAT DE: GABRIAN ANDREI

ISTORIC Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari inventii ale erei moderne.

CE ESTE TRANZISTORUL? • Tranzistorul este un dispozitiv electronic active din categoria semiconductoarelor, cu cel puțin trei terminale, care realizează o amplificare a semnalelor electrice. • Tranzistorul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent în sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950, tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii, și a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele. • Denumirea lui provine din contracţia cuvintelor transfer rezistor. • Există o mare diversitate de tranzistoare care diferă prin principiul de funcţionare, construcţie, caracteristici şi parametri.

UTILIZARE • Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori. • Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Tranzistorul bipolar KT-616

Tranzistorul KT – 616 reprezintă un tranzistor din siliciu (Si) de tip n-p-n. Tranzistorul dat se fabrică prin metoda epitaxial – planară. Metoda epitaxial-planară se bazează pe metoda planară. Deci, pentru început vom analiza metoda planară de fabricare a tranzistoarelor.

PARAMETRI SPECIFICI TRANZISTOARELOR 1.Temperatura maximă a joncțiunilor

• Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C.

• Observație: La temperaturi mai mari decât cele menționate, are loc creșterea extraordinar de rapidă a concentrației purtătorilor minoritari și semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzându-si proprietățile inițiale

2.Puterea maxim disipata • Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din această putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului. • Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia: • PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC. 3.Curentul de colector maxim • Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără ca acesta să se distrugă. El este indicat în cataloage și depinde de particularitățile tehnologice ale tranzistorului. 4.Tensiunea maximă admisă • Reprezintă valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fără ca acesta să se deterioreze. Această valoare este limitată de tensiunea de străpungere a joncțiunii colector bază (polarizată invers). • Acest parametru are valori diferite în funcție de conexiunea tranzistorului și este prezentat în foile de catalog pentru fiecare situație în parte

TRANZISTORUL BIPOLAR • Din punct de vedere fizic, tranzistorul bipolar este format din două joncţiuni PN, dispuse spate în spate. Denumirea de bipolar vine de la faptul că este compus din două tipuri de materiale semiconductoare, care pot forma un tranzistor NPN (cu o felie de semiconductor de tip P pusă între două felii de semiconductori de tip N) sau un tranzistor PNP (cu o felie de semiconductor de tip N pusă între două felii de semiconductoare de tip P). • Tranzistorul este alcatuit dintr-un semiconductor cu trei straturi de conductie diferită : un strat n între două straturi p, la tranzistorul numit p-n-p , sau un strat p între două straturi n, la tranzistorul numit n-p-n.

BIOGRAFIE • http://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor • http://www.scientia.ro/intrebarile-scientia/details/Cum-functioneaza-tranzistorul-_178.html • http://www.unibuc.ro/prof/dinca_m/miha-p-dinc-elec-manustud/docs/2011/sep/19_11_18_01cap_4_v3.pdf • http://www.tehnium-azi.ro/page/articole_articles/_/articles/notiuni-teoretice-dinelectronica/Tranzistorul_bipolar • http://www.iscee.ugal.ro/IGBT.pdf • http://www.eeepproject.com

• http://www.google.com/images