TRANSISTOR Sistema Europeu Primeira letra A – transistor de germânio B – transistor de silício Segunda letra C – baixa potência, baixa freqüência, uso geral. D – alta potência, baixa freqüência, uso geral. F – baixa potência, alta freqüência. L – alta potência, alta freqüência ( apenas para transistores de germânio). U – alta potência, chaveamento e comutação. PX – fototransistor. PY – fototransistor. Sistema Japonês 2S... • • • • • • • •
A – transistor PNP, para altas freqüências. B – transistor PNP, para baixas freqüências. C – transistor NPN, para altas freqüências. D – transistor NPN, para baixas freqüências. H – transistor tipo unijunção. J – Transistor tipo FET (efeito de campo) de canal P K – transistor tipo FET (efeito de campo) de canal N OS – fototransistor
Sistema adotado pela Texas Instruments. TIP – transistor de alta potência, baixa freqüência, encapsulamento plástico. TIS – transistor de baixa potência, para pequenos sinais. TIC – tiristor (triac ou SCR). Sistema adotado pela Motorola. MJ – transistor de silício, alta potência, encapsulamento metálico. MJE – transistor de silício, alta potência, encapsulamento plástico. MP – transistor de germânio, alta potência, encapsulamento metálico. MPS – transistor de baixa potência, pequeno sinal. MPF – transistor de efeito de campo (FET).