Semana 7

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET Árbol de la familia de los transistores de efecto de campo. Multicanal JFET Ranurado en V GaAs JFET

Difuso De crecimiento De heterounion

Si MESFET FET

MESFET

GaAs MESFET

De una compuerta De doble compuerta De estructura interdigital

InP MESFET MESFET de Heteroestructura Si MOSFET MOSFET

DIMOS, VMOS, SOS, SOI GaAs MOSFET

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Características Básicas.

Modelo Schockley de una unión del transistor de efecto de campo

Curva característica de transferencia de un JFET de canal largo para dos específicas distribuciones de carga. Se ha agregado un corte transversal de la parte superior de un JFET. Y1 es la anchura de la región de vaciamiento y Y2 describe los terminales de fuente y drenaje

Curva característica básica I-V del JFET. Se muestra las regiones lineal, de saturación y de ruptura. Vp es la tensión de Pinch-Off. Para una tensión dada VG, la corriente y la tensión a partir de la cual se genera la saturación se describen como: IDSAT y VDSAT.

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La Distribución De Carga Arbitraria

Ecuaciones del efecto de campo para una distribución de carga específica en una estructura rectangular de un JFET de tipo reflexión.

Factor de multiplicación para una distribución específica Parametros

Factor comun

A: todas las cargas para y=2a

B: uniforme

C: todas las cargas para y=0

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El Fet En Modo De Enriquecimiento

Tipo

Modo

Tipo n

Tipo p

Normalmente ON

Normalmente OFF

Símbolo un JFET y MESFET tipo n y tipo p normalmente ON y normalmente OFF

Comparación de las curvas características I-V, a- MESFET Normalmente ON, b- MESFET Normalmente OFF.

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Movilidad Dependiente Del Campo

Velocidad de arrastre en función del campo eléctrico para Si, GaAs y InP. Aproximaciones de las curvas de velocidad del campo

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Movilidad Dependiente Del Campo

Gráficos de la corriente de drenaje normada en función de la tensión de drenaje con la tensión de compuerta como parámetro para (a) el caso de movilidad constante, (b) movilidad dependiente del campo z=3.

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El Modelo De Dos Regiones

La Región I muestra constante movilidad y la región II muestra velocidad saturada. La velocidad inicia la saturación para la anchura de la región de vaciamiento YC.

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET El Modelo De La Velocidad Saturada

Característica de transferencia de diferentes distribuciones de carga

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET El Modelo De La Velocidad Saturada

Perfiles de dopado medidos Curva característica de transferencia de FETs dopados uniformemente y gradualmente

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET Comportamiento Bidimensional

Perfil del campo eléctrico y curva característica corriente-tensión de un MESFET de Si para diferentes condiciones de polarización de compuerta y drenaje.

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET Comportamiento Bidimensional

Corte transversal del canal, campo eléctrico, velocidad de arrastre y distribución de carga espacial en el canal de un MESFET de GaAs operando en la región de saturación de corriente.

Incremento pico de la velocidad del electrón al entrar en la región de alta intensidad de campo (E>EP) bajo la compuerta

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET El Circuito Equivalente De Pequeña Señal.

Circuito equivalente de un MESFET

Origen físico de los elementos del circuito

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET Limitaciones De Potencia Y Frecuencia

Frecuencia teórica de corte en función de la longitud de compuerta para Si, GaAs y InP

Desarrollos de las Salidas de Potencia en función de la frecuencia para MESFETs de GaAs

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL J-FET Y EL MESFET Comportamiento Al Ruido

Circuito equivalente para el análisis de ruido.

Figura de ruido opcional teórica y experimental en función de la frecuencia en MESFETS de GaAs con diferentes longitudes y anchuras de canal