Semana 07

Contacto metal semiconductor Medición de la barrera de potencial Variación de la altura de la barrera a diferentes temperaturas para diferentes materiales.

Contacto metal semiconductor estructura de dispositivos

Pequeña área de contacto

Anillo metálico de protección

Oxido de aislamiento

Cono truncado

Contacto metal semiconductor estructura de dispositivos Frecuencia de corte en función de la cantidad de dopantes en la capa epitaxial, para diferentes valores de diámetro de la unión.

Dispositivos unipolares contacto metal semiconductor contacto óhmico

Con alto dopado

Poca altura de la barrera

Dispositivos unipolares Jfet características básicas

Modelo Schockley de una unión del transistor de efecto de campo

Curva característica básica del Jfet

Dispositivos unipolares el Jfet y el Mesfet. Distribución de la carga Carga uniforme

Carga arbitraria

Dispositivos unipolares Fet en modo de enriquecimiento

Normalmente on

Normalmente off

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet Modelo de dos regiones

La Región I muestra constante movilidad y la región II muestra velocidad saturada. La velocidad inicia la saturación para la anchura de la región de vaciamiento

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet modelo de la velocidad saturada

Dependiendo de la distribución del dopado por el material la corriente varia. Con una distribución gradual, se aprecia que la corriente de comporta de manera lineal

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet comportamiento bidimensional

Sin polarizacion en compuerta Se ha sobrepasado el punto de saturación y se crea una zona bipolar en el canal, se mantiene relativamente constante la corriente a corriente de saturación Se alcanza el punto de saturación

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet comportamiento bidimensional Velocidad de arrastre del electrón

Campo eléctrico

Distribución de carga espacial

Se observa el campo eléctrico, la velocidad de arrastre y la distribución de carga cuando opera en la región de saturación, se ha creado la región bipolar en el canal y se observa como afecta al campo, velocidad, y distribución.

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet comportamiento bidimensional Curva característica para mesfet de Si y GaAs.

Cuando la compuerta aumenta de dimensión, aumenta la corriente Id.

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet

Modelo equivalente en pequeña señal

Respuesta en frecuencia Para longitudes de compuerta mas pequeña mejora la respuesta en frecuencia, es decir, puede operar a frecuencias mas altas.

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet Comportamiento a ruido. Circuito equivalente para el análisis de ruido.

Las resistencias que aparecen por las características propias de los materiales hacen que se produzca ruido. Debido a que estas resistencias dependen de la longitud del dispositivo (menor tamaño menor resistencia), al disminuir el tamaño del dispositivo se mejora la relación señal a ruido. Al fluir solo corriente por arrastre se obtiene mejor relación señal a ruido en comparación a los BJT.