Sem An A 7

REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TÁCHIRA DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO

Realizado por: • Vera C. Jackson E. C.I : 18.257.523 # 36

San Cristóbal, junio de 2008

Dispositivos Unipolares

Árbol de la familia de los transistores de efecto de campo.

Modelo Schockley de una unión del Transistor de Efecto De Campo

L → Longitud. Z → Anchura. a → Altura. b → Apertura del canal.

Características Básicas

urva característica básica I-V del JFET

En la muestra: → Región → Región → Región → Región

figura

se

Lineal Saturación. Corte. Ruptura.

Distribución de Carga Uniforme

Distribución de Carga Arbitraría

El Fet en modo de Enriquecimiento Símbolos del JFET y del MESFET en modos ON y OFF. Ecuacione s

Vt → tensión umbral. Vbi → barrera de potencial de la unión. Vp → tensión de estrangulamiento.

El Fet en modo de Enriquecimiento

Comparación de las curvas características I-V MESFET Normalmente ON Modo de Vaciamiento. Comparación de las curvas características I-V MESFET Normalmente OFF Modo de Enriquecimiento.

Movilidad dependiente del Campo

Transconductancia normada en función de (VG + Vbi) / Vp

Gráfico de la corriente de drenaje normada en función de la tensión de drenaje con la tensión de compuerta como parámetro para el caso de movilidad constante.

Movilidad dependiente del Campo Gráfico de la corriente de drenaje normada en función de la tensión de drenaje con la tensión de compuerta como parámetro para movilidad dependiente del campo z=3.

Tensión de drenaje de saturación normada en función de (VG + Vbi) / Vp usando el valor absoluto de VG

Vdsat normado en función de (VG + Vbi) / Vp.

Modelo de dos Regiones

La Región I muestra Constante movilidad y la región II muestra velocidad saturada. La velocidad inicia la saturación para la anchura de la región de vaciamiento YC.

Modelo de la velocidad Saturada Características de Transferencia de diferentes regiones Uniforme

Ley de potencia

Exponencial

Variación Abrupta

Comportamiento Bidimensional Capa de silicio tipo N sobre un sustrato aislante

Єs: campo crítico. X1:se alcanza la velocidad de saturación

Tensión negativa de compuerta. Alta resistencia debida a pequeña b2

Comportamiento Bidimensional Se agrega una unión o compuerta metal-semiconductor

•Campo eléctrico más intenso. •Se aceleran los portadores. •La corriente permanece constante

Alta concentración Se forman dipolos.

Comportamiento Bidimensional

Circuito equivalente en pequeña señal

Modelo en pequeña señal del MESFET.

Origen físico de los elementos del circuito.

Ecuaciones •Ig: corriente inversa de compuerta. •Ri: alta resistencia de entrada •Τ: tiempo de tránsito (tiempo para atravesar el canal). •Μ: movimiento constante. •V: velocidad saturada constante. •Fmáx: frecuencia máxima de oscilación. •U: ganancia unilateral. •R1: resistencia entrada/resistencia salida..

Limitaciones de Potencia y Frecuencia La corriente varía sobre la recta de carga, para e diseño, se debe tomar un buen punto de operación, el cual suele encontrarse en el punto medio de la recta de carga.

Frecuencia teórica de corte en función de la longitud de compuerta Si, GaAs y InP.

Comportamiento al ruido

Circuito equivalente para el análisis de ruido

•es: voltaje de la fuente de señal. •Zs: impedancia de la fuente. •Io: figura de ruido óptimo para MESFET de GaAs. •Ing: ruido inducido en compuerta. •Ind: ruido del circuito de drenaje. •ens: ruido térmico de la resistencia serie de la fuente.