Sem An A 5
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- Words: 497
- Pages: 20
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA ELECTRONICA DEL ESTADO SÓLIDO
Realizado por: Johan Romero Nº de lista: 32
Relaciones básicas de Corriente-Tensión
Configuraciones básicas
Relaciones básicas de Corriente-Tensión
I B = I E − IC
Ganancia de Corriente
Ganancia de Corriente
Características de Salida Las tensiones aplicadas controlan las densidades de frontera a través del término: exp(qV/kT) Las corrientes de emisor y colector están dadas para los gradientes de las densidades de portadores minoritarios (Huecos) en las fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W La corriente de Base es la diferencia entre las corrientes de emisor y colector
Características de Salida
Características de Salida
El modelo de Ebers-Moll
BJT de Microondas. La Frecuencia de Corte
BJT de Microondas. Características de Análisis
BJT de Microondas. Características de Análisis
BJT de Microondas. Características de Análisis
Transistor de Potencia. Resistencia de Estabilización del Emisor Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa la temperatura Tj de la unión El máximo de Tj está limitado por la temperatura para la cual la región de la Base se hace intrínseca Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el colector se cortocircuita efectivamente con el emisor Para mejorar el funcionamiento del transistor se debe desarrollar encapsulados que proporcionen una adecuada disipación del calor Una técnica usual para distribuir la corriente uniformemente en Transistores de tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar una resistencia de emisor distribuido RE Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor particular será limitado por el resistor Este tipo de resistores series se describen normalmente como resistores de estabilización o resistores de carga de emisor
Transistor de Potencia. Comportamiento de la Temperatura
Transistor de Potencia. Fenómenos de Ruptura Secundaria
Transistor de Potencia. Fenómenos de Ruptura Secundaria
El Transistor como Conmutador
Región I: Región de corte, corriente de colector apagado (Off), uniones de emisor y colector polarizadas inversamente Región II: Región activa, emisor polarizado directamente y el colector polarizado inversamente Región III: Región de saturación, emisor y colector polarizados directamente
El Transistor como Conmutador IBO: Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el colector en circuito abierto eqVEB/kT<<1, IC=0 ICO: Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el emisor en circuito abierto, eqVCB/kT<<1, IE=0 αN: Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación normal, donde el emisor se polariza directamente y el colector se polariza inversamente La corriente de colector está dada por: IC=-αNIE+ICO αI: Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación inversas. El emisor polarizado inversamente y el colector polarizado directamente La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI Debido a que el área del emisor normalmente es mas pequeña que el área del colector El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que difunden del emisor al colector o del colector al emisor
Realizado por: Johan Romero Nº de lista: 32
Relaciones básicas de Corriente-Tensión
Configuraciones básicas
Relaciones básicas de Corriente-Tensión
I B = I E − IC
Ganancia de Corriente
Ganancia de Corriente
Características de Salida Las tensiones aplicadas controlan las densidades de frontera a través del término: exp(qV/kT) Las corrientes de emisor y colector están dadas para los gradientes de las densidades de portadores minoritarios (Huecos) en las fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W La corriente de Base es la diferencia entre las corrientes de emisor y colector
Características de Salida
Características de Salida
El modelo de Ebers-Moll
BJT de Microondas. La Frecuencia de Corte
BJT de Microondas. Características de Análisis
BJT de Microondas. Características de Análisis
BJT de Microondas. Características de Análisis
Transistor de Potencia. Resistencia de Estabilización del Emisor Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa la temperatura Tj de la unión El máximo de Tj está limitado por la temperatura para la cual la región de la Base se hace intrínseca Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el colector se cortocircuita efectivamente con el emisor Para mejorar el funcionamiento del transistor se debe desarrollar encapsulados que proporcionen una adecuada disipación del calor Una técnica usual para distribuir la corriente uniformemente en Transistores de tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar una resistencia de emisor distribuido RE Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor particular será limitado por el resistor Este tipo de resistores series se describen normalmente como resistores de estabilización o resistores de carga de emisor
Transistor de Potencia. Comportamiento de la Temperatura
Transistor de Potencia. Fenómenos de Ruptura Secundaria
Transistor de Potencia. Fenómenos de Ruptura Secundaria
El Transistor como Conmutador
Región I: Región de corte, corriente de colector apagado (Off), uniones de emisor y colector polarizadas inversamente Región II: Región activa, emisor polarizado directamente y el colector polarizado inversamente Región III: Región de saturación, emisor y colector polarizados directamente
El Transistor como Conmutador IBO: Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el colector en circuito abierto eqVEB/kT<<1, IC=0 ICO: Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el emisor en circuito abierto, eqVCB/kT<<1, IE=0 αN: Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación normal, donde el emisor se polariza directamente y el colector se polariza inversamente La corriente de colector está dada por: IC=-αNIE+ICO αI: Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación inversas. El emisor polarizado inversamente y el colector polarizado directamente La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI Debido a que el área del emisor normalmente es mas pequeña que el área del colector El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que difunden del emisor al colector o del colector al emisor
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