Sem An A 4
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- Words: 958
- Pages: 14
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA ELECTRONICA DEL ESTADO SÓLIDO
Realizado por: Johan Romero Nº de lista: 32
Resistencia RF de corriente directa DC (estática) La resistencia estática RF es la relación V/I para cualquier punto de trabajo del diodo. Se define como la inversa de la pendiente que une el origen de coordenadas con el punto de trabajo (punto Q).
Resistencia rF de pequeña señal (dinámica). La resistencia dinámica rd es un parámetro muy importante cuando se trabaja en pequeña señal (señales alternas de baja frecuencia). Se define como la inversa de la pendiente de la característica del diodo en el punto de trabajo Q.
Regulador de Tensión Un regulador de tensión es un dispositivo electrónico diseñado con el objetivo de proteger aparatos eléctricos y electrónicos delicados de variaciones de diferencia de potencial, descargas eléctricas y "ruido" existente en la corriente alterna de la distribución eléctrica. Un regulador de Tensión es un diodo pn operando con polarización inversa hasta la tensión de ruptura. Antes de ocurrir la ruptura el diodo presenta una alta resistencia. De esta manera la tensión de ruptura limita o regula la tensión.
Varistor Un varistor (variable resistor) es un componente electrónico cuya resistencia óhmica disminuye cuando el voltaje que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta rápido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados básicamente con oxido de zinc y dependiendo del fabricante se le añaden otros materiales para agregarle las características no lineales deseables. El material se comprime para formar discos de diferente tamaño y se le agrega un contacto metálico a cada lado para su conexión eléctrica. Se utiliza para proteger los componentes más sensibles de los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser originados, entre otros, por relámpagos, conmutaciones y ruido eléctrico.
Variación de la capacidad en el varactor
CAPACIDAD VARIABLE -VARACTOR a)-Varias distribuciones de impurezas para Varactores, b)-Gráfico logarítmico-logarítmico de la Capacidad de la capa de vaciamiento en función de la tensión de polarización inversa.
a) b)
CAPACIDAD VARIABLE -VARACTOR FRECUENCIA LOGARÍTMICA (ω=2πf) Factor de Calidad Q del Varactor en función de varias frecuencias para diversas tensiones de polarización. Se ha agregado el circuito equivalente.
El Diodo de conmutación rápida Los dispositivos se clasifican en dos tipos: •Diodos de unión pn difusos. •Diodos de contacto metal-semiconductor. El diodo Schottky o diodo de barrera Schottkyes un diodo de contacto metalsemiconductor, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
Diodos de almacenamiento de carga •El diodo de almacenamiento de carga se diseña para almacenar carga durante la conducción en la dirección de polarización directa y conmuta para conducir por un corto período en la dirección inversa. •El diodo de recuperación de paso, es un tipo de diodo que conduce en la dirección inversa por un corto período, corta abruptamente la corriente después de haberse disipado la carga almacenada. •Este corte de corriente dentro de un rango de pico segundos, generando un frente de onda creciente rápidamente, rica en armónicos •Este tipo de diodos se usan en la generación de armónicos y de impulsos •Otros tipos de diodos de almacenamiento de carga se fabrican de Si con portadores minoritarios con tiempo de vida relativamente grandes, dentro de un rango de 0.5 hasta 5μS. •Se puede notar que los tiempos de vida son unas 1000 veces mas grandes que para diodos de conmutación rápidas.
EL DIODO PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como: -conmutador de RF -resistencia variable -protector de sobretensiones -fotodetector
EL DIODO PIN Distribución de impurezas, Densidad de Carga espacial y distribución de campo en las uniones p-i-n y p-π-n.
a-Capacidad de la capa de vaciamiento y resistencia serie en función de la tensión inversa, b-Resistencia serie en función de la corriente inversa.
EL DIODO PIN
Caída de tensión en la región intrínseca de la unión p-i-n en función de W/La, donde W es la anchura de la región i y La es la longitud am bipolar de difusión.
Curva característica en polarización directa Corriente-Tensión, a-Solo recombinación, b-Incluyendo dispersión de portadores, c-Incluyendo recombinaciones de Auger.
LA HETEROUNIÓN MODELO BÁSICO DE DISPOSITIVO
a-Diagrama de Banda de Energía de dos semiconductores aislados asumiendo neutralidad de carga espacial en cada región.
b-Diagrama de Bandas de Energía de una Heterounión anisótropa n-p ideal en equilibrio térmico.
LA HETEROUNIÓN MODELO BÁSICO DE DISPOSITIVO
a-Diagrama de Bandas de Energía para una Heterounión isótropa n-ni ideal.
b-Diagrama de Banda de Energía de una Heterounión p-n, c-Diagrama de Banda de Energía de una Heterounión p-p.
DISPOSITIVOS DE HETEROUNIONES
a-Variante compuesta. b-Diagrama de Banda de Energía en equilibrio. c-Diagrama de Energía bajo polarización directa para una estructura compuesta diente de sierra.
Realizado por: Johan Romero Nº de lista: 32
Resistencia RF de corriente directa DC (estática) La resistencia estática RF es la relación V/I para cualquier punto de trabajo del diodo. Se define como la inversa de la pendiente que une el origen de coordenadas con el punto de trabajo (punto Q).
Resistencia rF de pequeña señal (dinámica). La resistencia dinámica rd es un parámetro muy importante cuando se trabaja en pequeña señal (señales alternas de baja frecuencia). Se define como la inversa de la pendiente de la característica del diodo en el punto de trabajo Q.
Regulador de Tensión Un regulador de tensión es un dispositivo electrónico diseñado con el objetivo de proteger aparatos eléctricos y electrónicos delicados de variaciones de diferencia de potencial, descargas eléctricas y "ruido" existente en la corriente alterna de la distribución eléctrica. Un regulador de Tensión es un diodo pn operando con polarización inversa hasta la tensión de ruptura. Antes de ocurrir la ruptura el diodo presenta una alta resistencia. De esta manera la tensión de ruptura limita o regula la tensión.
Varistor Un varistor (variable resistor) es un componente electrónico cuya resistencia óhmica disminuye cuando el voltaje que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta rápido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados básicamente con oxido de zinc y dependiendo del fabricante se le añaden otros materiales para agregarle las características no lineales deseables. El material se comprime para formar discos de diferente tamaño y se le agrega un contacto metálico a cada lado para su conexión eléctrica. Se utiliza para proteger los componentes más sensibles de los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser originados, entre otros, por relámpagos, conmutaciones y ruido eléctrico.
Variación de la capacidad en el varactor
CAPACIDAD VARIABLE -VARACTOR a)-Varias distribuciones de impurezas para Varactores, b)-Gráfico logarítmico-logarítmico de la Capacidad de la capa de vaciamiento en función de la tensión de polarización inversa.
a) b)
CAPACIDAD VARIABLE -VARACTOR FRECUENCIA LOGARÍTMICA (ω=2πf) Factor de Calidad Q del Varactor en función de varias frecuencias para diversas tensiones de polarización. Se ha agregado el circuito equivalente.
El Diodo de conmutación rápida Los dispositivos se clasifican en dos tipos: •Diodos de unión pn difusos. •Diodos de contacto metal-semiconductor. El diodo Schottky o diodo de barrera Schottkyes un diodo de contacto metalsemiconductor, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
Diodos de almacenamiento de carga •El diodo de almacenamiento de carga se diseña para almacenar carga durante la conducción en la dirección de polarización directa y conmuta para conducir por un corto período en la dirección inversa. •El diodo de recuperación de paso, es un tipo de diodo que conduce en la dirección inversa por un corto período, corta abruptamente la corriente después de haberse disipado la carga almacenada. •Este corte de corriente dentro de un rango de pico segundos, generando un frente de onda creciente rápidamente, rica en armónicos •Este tipo de diodos se usan en la generación de armónicos y de impulsos •Otros tipos de diodos de almacenamiento de carga se fabrican de Si con portadores minoritarios con tiempo de vida relativamente grandes, dentro de un rango de 0.5 hasta 5μS. •Se puede notar que los tiempos de vida son unas 1000 veces mas grandes que para diodos de conmutación rápidas.
EL DIODO PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como: -conmutador de RF -resistencia variable -protector de sobretensiones -fotodetector
EL DIODO PIN Distribución de impurezas, Densidad de Carga espacial y distribución de campo en las uniones p-i-n y p-π-n.
a-Capacidad de la capa de vaciamiento y resistencia serie en función de la tensión inversa, b-Resistencia serie en función de la corriente inversa.
EL DIODO PIN
Caída de tensión en la región intrínseca de la unión p-i-n en función de W/La, donde W es la anchura de la región i y La es la longitud am bipolar de difusión.
Curva característica en polarización directa Corriente-Tensión, a-Solo recombinación, b-Incluyendo dispersión de portadores, c-Incluyendo recombinaciones de Auger.
LA HETEROUNIÓN MODELO BÁSICO DE DISPOSITIVO
a-Diagrama de Banda de Energía de dos semiconductores aislados asumiendo neutralidad de carga espacial en cada región.
b-Diagrama de Bandas de Energía de una Heterounión anisótropa n-p ideal en equilibrio térmico.
LA HETEROUNIÓN MODELO BÁSICO DE DISPOSITIVO
a-Diagrama de Bandas de Energía para una Heterounión isótropa n-ni ideal.
b-Diagrama de Banda de Energía de una Heterounión p-n, c-Diagrama de Banda de Energía de una Heterounión p-p.
DISPOSITIVOS DE HETEROUNIONES
a-Variante compuesta. b-Diagrama de Banda de Energía en equilibrio. c-Diagrama de Energía bajo polarización directa para una estructura compuesta diente de sierra.
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