Sem An A 3

REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TÁCHIRA DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO

Realizado por: • Vera C. Jackson E. C.I : 18.257.523 # 36

San Cristóbal, mayo de 2008

Propiedades de los Semiconductores

Entre estas propiedades tenemos las siguientes:

Movilidad:

• No solo depende del campo q se le aplique, sino del material y la Concentración de portadores. • Se expresa en cm2 / V-s. • Se puede decir que los electrones poseen mayor movilidad q los hueco

Resistividad: En los semiconductores aumenta la resistividad cuando disminuye la temperatura. En la siguiente figura se observa un modelo que se utiliza para medir la resistividad, lo cual se basa en la aplicación de corrientes en dos extremos y se miden los potenciales en dos puntos internos, debido a la muestra se puede determinar el factor de corrección.

Efecto Hall:

Este efecto es una consecuencia de la fuerza que se ejerce sobre una carga eléctrica en movimiento cuando se encuentra sometida a la acción de un campo eléctrico y un campo magnético.

Características:

Es la mejor prueba experimental de la existencia de huecos. Puede ser usado para determinar características del semiconductor les como: tipo de portador ( hueco o electrón), concentración y movilida

Propiedades ópticas:

• Son propiedades basadas en el comportamiento de los materiales en Presencia de ondas luminosas (luz). → Fonón, la estructura absorbe la energía y se convierte en pérdidas. • En directo coincide la máx. Bv con la mínima Bc. • En indirecto no hay coincidencia.

Propiedades Térmicas: • Son propiedades basadas en el comportamiento de la reacción de un

Material durante cambios de temperaturas.

→ donde el coeficiente de absorción, es la capacidad que tiene el mater Para absorber la energía óptica.

Ecuaciones básicas de operación: Ecuaciones homogéneos:

de

Maxwell

Ley de Faraday

Ley de gauss para Campos magnéticos Ley de Ampere

Ley de gauss

para

un

medio

isótropos

y

Ecuaciones de densidad de corriente: La densidad de corriente es un conductor, y es la suma de las densidades presentes en p como en n. En la siguiente ecuación se expresa: Jn → densidad de corriente de electrones en el interior del semiconductor (A / cm2). Jp → densidad de corriente de huecos en el interior del semiconductor (A / cm2).

Semiconductores Bipolares – Unión pn técnicas de fabricación: Bipolar → densidad de electrones y huecos. Tipos de Corrientes: ● Arrastre → cuando se aplica un campo eléctrico. ● Difusión → flujo de portadores en el material. Aleación

Mesa difundida

Implantación Iónica

Región de vaciamiento: Región P neutra

Impurezas ionizadas (NA)

P

Fuerza de difusión sobre los huecos Componente de deriva sobre los huecos

- - - - - - - - - -

Impurezas ionizadas (ND)

+ + + + + + + + + + + +

Región de carga espacial Campo eléctrico E

Región N neutra

N

Fuerza de difusión sobre los electrones Componente de deriva sobre los electrones

Como se observa los electrones y huecos son barridos por el campo eléctrico hacia fuera de la región de carga espacial, dejando esta zona desprovista de portadores móviles, y por ello se le suele denominar zona o región de agotamiento o región de vaciamiento.