Polarizacion Fet.docx

“Año del Diálogo y la Reconciliación Nacional”

PRÁCTICA DE LABORATORIO N°7(a)

20-6-2018

INTEGRANTES: MALMA ADAMA, Anthony. POMA CHANCHA, Tom. PUCUHUAYLA CASAS, Ayrthon Pool. SANTANA GONZALES, Nelson. SEGURA PÁUCAR, Danny.

DOCENTE: Ing. MERLO GALVEZ, Juan Luis.

MARCO TEÓRICO Polarización de transistores FE

La variable de control de entrada para un FET es un voltaje. Las relaciones generales que se aplican al análisis de cd de los amplificadores de FET son:

𝐼𝐺 = 0𝐴

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆

La ecuación de Shockley se aplica a los JFET: 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑥 (1 −

𝑉𝐺𝑆 2 ) 𝑉𝑃

1.1 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA: La configuración más simple para el JFET de canal n, es la configuración de polarización fija.

Imagen 1: Configuración polarización fija. Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y Dispositivos electrónicos Robert L. Boylestad

Imagen 2: red equivalente de polar. Fija Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y Dispositivos electrónicos Robert L. Boylestad

Incluye niveles de Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C1 y C2). Recuerde que los capacitores de acoplamiento son “circuitos abiertos” para el análisis de cd y bajas impedancias (en esencia cortorcircuitos) para el análisis de ca. El hecho de que la terminal negativa de la batería esté conectada directamente al potencial positivo definido de VGS deja ver con claridad que la polaridad de VGS es directamente opuesta a la de VGG.

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑋 𝑅𝐷

𝑉𝑆 = 0𝑉

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆

𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆

1.2 CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN: La configuración de auto polarización elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través de un resistor RS introducido en la rama de la fuente de la configuración.

Imagen 3: Configuración auto polarización Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y

Imagen 4: red equivalente de autopolarizacion Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y

Dispositivos electrónicos

Dispositivos electrónicos

Robert L. Boylestad

Robert L. Boylestad

Los capacitores pueden ser reemplazados por “circuitos abiertos” y el resistor RG por un equivalente de cortocircuito, puesto que IG = 0.

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑥 𝑅𝑆

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑥 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷)

𝑉𝐺 = 0𝑉

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆=VDD-VRD

1.2 POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE: Todos los capacitores, incluido el de puenteo CS, fueron reemplazados por un equivalente de “circuito abierto”. Además, la fuente VDD se dividió en dos fuentes equivalentes para separar aún más las regiones de entrada y salida de la red. Como IG 0, la ley de la corrientes de Kirchhoff requiere que y se puede utilizar el circuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura para determinar el valor del VG. El voltaje VG, igual al voltaje a través de R2, se determina con la regla del divisor de voltaje como sigue: 𝑉𝐺 =

𝑅2 𝑥 𝑉𝐷𝐷 𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷𝑅𝑆

.

[6] Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electronicos” Editorial Pearson EEUU 1989.

Bibliografía:

RESULTADOS Ejercicio 01:

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷. 𝑅𝐷 𝑉𝐷 = 10 − 1,47(2) = 7,06𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝑆. 𝑅𝑆 𝑉𝑆 = 1,47(4,7) = 6,9V

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷) 𝑉𝐷𝑆 = 10 − 1,47(2 + 4,7) = 0,15𝑉

ID VD VS VDS VP IDSS

𝑉𝐺 =

𝑅4. 𝑉𝐷𝐷 𝑅3 + 𝑅4

𝑉𝐺 =

(1).10 = 5𝑉 1+1

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷. 𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 = 5 − 𝐼𝐷. (4,7)

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 −

𝐼𝐷 = 20(1 −

𝑉𝐺𝑆 2 ) 𝑉𝑃

5 − 𝐼𝐷(4,7) 2 ) −1,5

𝐼𝑆 ≈ 𝐼𝐷 = 1,47𝑚𝐴

TEÓRICO 1,47mA 7,06V 6,9V 0,15V -1,5V 20mA

EXPERIMENTAL 1,46mA 7,13V 4,91V 0,17V

Ejercicio 02:

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷. 𝑅𝐷 𝑉𝐷 = 10 − 1,6(2) = 6,8𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝑆. 𝑅𝑆 𝑉𝑆 = 1,6(4,7) = 7,52V 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷) 𝑉𝐷𝑆 = 10 − 1,6(2 + 4,7) = −0,72𝑉

ID VD VS VDS VP IDSS

𝑉𝐺 =

𝑅4. 𝑉𝐷𝐷 𝑅3 + 𝑅4

𝑉𝐺 =

(1).10 = 5𝑉 1+1

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷. 𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 = 5 − 𝐼𝐷. (4,7)

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 −

𝐼𝐷 = 6,5(1 −

𝑉𝐺𝑆 2 ) 𝑉𝑃

5 − 𝐼𝐷(4,7) 2 ) −5

𝐼𝑆 ≈ 𝐼𝐷 = 1,6𝑚𝐴

TEÓRICO 1,6mA 6,8V 7,52V -0,72V -5V 6,5mA

EXPERIMENTAL 1,89mA 6,32V 5,84V 0,24V

CONCLUSIONES

SUGERENCIAS