Jeremia Vincensius, Tugas 12 Elektronika Dasar 1.ppt

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Kelompok 2: Afifah (17033002) Jeremia Vinsencius (17033020) Revi Indriani (17033036)

Mata Kuliah Elektronika Dasar

A. KARAKTERISTIK KELUARAN LOOP COMMON EMITOR

Masukan dari common emitor di berikan pada rangkaian base emitor dan keluaran diambil dari kolektor emitor membuat elemen emitor dan keluaran di ambil dari rangkaian kolektor emitor.Pada badian keluaran karaketistik loop common emitor ini di pasang tahana RC seperti pada gambar.

PERSAMAAN

Persamaan tegangan keluaran pada llop keluaran dengan menerapkan hukum kichhoff tentang tegangan.Persamaan tegangan pada loop keluaran untuk konfigurasi common emitor adalah

VCC =IC RC +VCE Arus listrik pada kolektor dapat di rumuskan dalam bentuk

IC =VCC – VCE/RC

Untuk satu nilai arus base IB pada tegangan bias VCE rendah arus kolektor IC naik dengan cepat.Bila tegangan bias VCE ditambah,arus kolektor naik dengan lambat sampai menuju saturasi.Untuk nilai arus base yang lebih besar kurva karakteristik yang dihasilkan lebih tinggi tetapi dengan pola kemiringan yang hampir sama.

.

B. KRAKTERISTIK LOOP MASUKAN COMMON EMITOR Dalam common emitor digunakan secara bersama antara sinyal masukan dan juga sinyal keluaran.konfigurasi common emitor (CE) adalah konfigurasi yang sering di gunakan dalam rangkainpenguat praktis karena konfigurasi ini menyediakan penguat tegangan,arus, dan daya yang baik

.Masukan dari common emitor di berikan pada rangkaian base emitor dan keluaran diambil dari kolektor emitor membuat elemen emitor dan keluaran di ambil dari rangkaian kolektor emitor.Suatu rangkaian elektronika dengan konfigurasi common emitor yang sederhana terdiri dari transistor tipr npn,dua tahanan,dan dua tegangan dari catu daya.bagian masukan di pasang tahana RB .

RANGKAIAN KONFIGURASI COMMON EMITOR

Dengan menerapkan hukum kirchhoff tentang tegangan pada loop tertutup, di dapatkan persamaan persamaan tegangan pada konfigurasi common emitor dalam bentuk. VBB= IB RB +VBE Arus lisrtik pada base transistor dirumuskan seperti IB =VBB – VBE /RB

Pada gambar dapat di jelaskan bahwa untuk tegangan VBE kecil tidak ada arus yang mengalir pada base transistor.arus mulai ada pada asaat tegangan mendekati tegangan potong .bila tegangan diperbesar di atas tegangan potong maka arus base akan naik dengan cepat untuk satu setting tegangan VCE .Karakteristik ini sama dengan karakteristik dioda pada saan bias maju.Bila tegangan VCE diperbesar ternilai kurva arus base bergeser ke kanan.

Terima Kasih