Iv Ees
This document was uploaded by user and they confirmed that they have the permission to share it. If you are author or own the copyright of this book, please report to us by using this DMCA report form. Report DMCA
Overview
Download & View Iv Ees as PDF for free.
More details
- Words: 387
- Pages: 3
II TEST EES - VARIJANTA 4 Zadatak broj 1. 1.1. Napisati relaciju za strujno pojačanje ß0 bipolarnog tranzistora u π modelu tranzistora za male signale. ß0 =
ßF 1 ∂ß F 1 − I C ß F ∂I C
1.2. Kakvi odnosi između otpora u ulaznom krugu pojačala sa zajedničkim emiterom moraju postojati, da bi se naponsko pojačanje tranzistora moglo izraziti preko relacije: AV ≈ − g m R L
i
R L = r0 R 3 RC
Odgovor: Rs<
W (uGS − VTN ) 2 (1 + λu DS ) 2L
1.4. Napisati izraz za otpor kanala JFET-a koji vrijedi za rad JFET-a u linearnoj oblasti karakteristika. RCH =
ρ L t W
1.5. Napisati pojednostavljenu relaciju za strminu MOSFET-a u modelu tranzistora za male signale. g m = K n (VGS − VTN )
ili
g m = 2 K n I DS
Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Na slici su date prenosne karakteristike tranzistora sa efektom polja. Definirati kojem tranzistoru pripada karakteristika 4)
1)
2)
3)
4)
1
a) PMOSFET sa induciranim kanalom b) NMOSFET sa ugrađenim kanalom c) NMOSFET sa induciranim kanalom d) PMOSFET sa ugrađenim kanalom
2.2. Kada MOSFET radi u oblasti zasićenja izlaznih karakteristika i vodljivi kanal je „zgnječen“ na samom izvoru, tada: a) struja između izvora i odvoda ne teče, jer je vodljivi kanal prekinut; b) vodljivi kanal je prekinut i struja između izvora i odvoda teče kroz osiromašenu oblast pri kraju bližem odvodu; c) struja između izvora i odvoda ne teče jer ne postoji vodljivi kanal;
2.3 Kod FET-a u provođenju struje kroz tranzistor učestvuju: a) većinski i manjinski nosioci naboja b) nosioci naboja oba znaka c) samo većinski nosioci naboja 2.4. Na slici 1. je dat šematski prikaz: a) optičke sprege lasera i fototranzistora b) klasičnog optokaplera; c) optokaplera sa PIN diodom.
Slika 1.
Slika 2.
2.5. Na slici 2, je prikazana i-u karakteristika: a) trijaka b) dijaka c) dinistora
3. REZULTATI: A) Q(1,25 mA; 10,5V) uz VGS=-2,5 V; B) Av=-3,9 ~ -4.
2
3
ßF 1 ∂ß F 1 − I C ß F ∂I C
1.2. Kakvi odnosi između otpora u ulaznom krugu pojačala sa zajedničkim emiterom moraju postojati, da bi se naponsko pojačanje tranzistora moglo izraziti preko relacije: AV ≈ − g m R L
i
R L = r0 R 3 RC
Odgovor: Rs<
W (uGS − VTN ) 2 (1 + λu DS ) 2L
1.4. Napisati izraz za otpor kanala JFET-a koji vrijedi za rad JFET-a u linearnoj oblasti karakteristika. RCH =
ρ L t W
1.5. Napisati pojednostavljenu relaciju za strminu MOSFET-a u modelu tranzistora za male signale. g m = K n (VGS − VTN )
ili
g m = 2 K n I DS
Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Na slici su date prenosne karakteristike tranzistora sa efektom polja. Definirati kojem tranzistoru pripada karakteristika 4)
1)
2)
3)
4)
1
a) PMOSFET sa induciranim kanalom b) NMOSFET sa ugrađenim kanalom c) NMOSFET sa induciranim kanalom d) PMOSFET sa ugrađenim kanalom
2.2. Kada MOSFET radi u oblasti zasićenja izlaznih karakteristika i vodljivi kanal je „zgnječen“ na samom izvoru, tada: a) struja između izvora i odvoda ne teče, jer je vodljivi kanal prekinut; b) vodljivi kanal je prekinut i struja između izvora i odvoda teče kroz osiromašenu oblast pri kraju bližem odvodu; c) struja između izvora i odvoda ne teče jer ne postoji vodljivi kanal;
2.3 Kod FET-a u provođenju struje kroz tranzistor učestvuju: a) većinski i manjinski nosioci naboja b) nosioci naboja oba znaka c) samo većinski nosioci naboja 2.4. Na slici 1. je dat šematski prikaz: a) optičke sprege lasera i fototranzistora b) klasičnog optokaplera; c) optokaplera sa PIN diodom.
Slika 1.
Slika 2.
2.5. Na slici 2, je prikazana i-u karakteristika: a) trijaka b) dijaka c) dinistora
3. REZULTATI: A) Q(1,25 mA; 10,5V) uz VGS=-2,5 V; B) Av=-3,9 ~ -4.
2
3
Related Documents
Iv Ees
May 2020 3
Ees
November 2019 10
Ees
November 2019 9
Ii_popravni_test_rez-ees
May 2020 4
Ees 7
November 2019 13