Iv Ees

II TEST EES - VARIJANTA 4 Zadatak broj 1. 1.1. Napisati relaciju za strujno pojačanje ß0 bipolarnog tranzistora u π modelu tranzistora za male signale. ß0 =

ßF   1 ∂ß F 1 − I C    ß F ∂I C

   

1.2. Kakvi odnosi između otpora u ulaznom krugu pojačala sa zajedničkim emiterom moraju postojati, da bi se naponsko pojačanje tranzistora moglo izraziti preko relacije: AV ≈ − g m R L

i

R L = r0 R 3 RC

Odgovor: Rs<
W (uGS − VTN ) 2 (1 + λu DS ) 2L

1.4. Napisati izraz za otpor kanala JFET-a koji vrijedi za rad JFET-a u linearnoj oblasti karakteristika. RCH =

ρ L t W

1.5. Napisati pojednostavljenu relaciju za strminu MOSFET-a u modelu tranzistora za male signale. g m = K n (VGS − VTN )

ili

g m = 2 K n I DS

Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Na slici su date prenosne karakteristike tranzistora sa efektom polja. Definirati kojem tranzistoru pripada karakteristika 4)

1)

2)

3)

4)

1

a) PMOSFET sa induciranim kanalom b) NMOSFET sa ugrađenim kanalom c) NMOSFET sa induciranim kanalom d) PMOSFET sa ugrađenim kanalom

2.2. Kada MOSFET radi u oblasti zasićenja izlaznih karakteristika i vodljivi kanal je „zgnječen“ na samom izvoru, tada: a) struja između izvora i odvoda ne teče, jer je vodljivi kanal prekinut; b) vodljivi kanal je prekinut i struja između izvora i odvoda teče kroz osiromašenu oblast pri kraju bližem odvodu; c) struja između izvora i odvoda ne teče jer ne postoji vodljivi kanal;

2.3 Kod FET-a u provođenju struje kroz tranzistor učestvuju: a) većinski i manjinski nosioci naboja b) nosioci naboja oba znaka c) samo većinski nosioci naboja 2.4. Na slici 1. je dat šematski prikaz: a) optičke sprege lasera i fototranzistora b) klasičnog optokaplera; c) optokaplera sa PIN diodom.

Slika 1.

Slika 2.

2.5. Na slici 2, je prikazana i-u karakteristika: a) trijaka b) dijaka c) dinistora

3. REZULTATI: A) Q(1,25 mA; 10,5V) uz VGS=-2,5 V; B) Av=-3,9 ~ -4.

2

3