II POPRAVNI TEST EES Zadatak broj 1. 1.1. Napisati relaciju za izlazni otpor MOSFET-a u π modelu tranzistora za male signale. 1 + V DS λ ro = I DS
1.2. Napisati izraz za „otpor u vođenju“ (on-resistance - Ron), koji odgovara stanju kada je MOSFET u linearnoj oblasti izlaznih karakteristika (tačka „ON“). R on =
u DS = i DS
1 K n′
W (u GS − VTN ) L
1.3. Napisati potpuni izraz za struju između odvoda i izvora JFET-a u linearnoj oblasti njegovih karakteristika, kao i uvjeti koje moraju zadovoljiti naponi polarizacije. i DSS =
2 I DSS VP
2
(u GS − V P −
u DS ≤ (u GS − V P )
i
u DS )u DS 2
za
u GS ≥ V P
1.4. Napisati izraz za struju dinistora (četveroslojna dioda), kao i uvjet koji treba biti zadovoljen da dinistor provede. IA =
IS ; 1 − (α 1 + α 2 )
(α 1 + α 2 ) = 1
1.5. Napisati izraz za struju između anode i katode, kod fotodiode. U kakvoj polarizaciji rade fotonaponski elementi? − uD i AK = − I f + I S e VT − 1
R: inverznoj Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Koliko iznosi izlazni otpor bipolarnog tranzistora u spoju sa zajedničkim emiterom, ako je ßo=100, IC=1 mA,VA=75 V i UCE=10 V : a) 100 KΩ b) 85 KΩ c) 1 MΩ
1
2.2. Koliko iznosi struja odvoda NMOSFET-a, koji radi sa VGS=3V, VDS=10V, ako je VTN =1 V, Kn=1mA/V2 i λ=0,02 a) 2,4 mA b) 4,8 mA c) 1,2 mA 2.3 Napon baza-emiter ekvivalentnog tranzistora u Darlington-ovom spoju dva tranzistora, približno iznosi: a) 0,7 V b) 2 V c) 1,4 V 2.4. Na slici 1. je prikazan: a) p kanalni JFET, koji radi u linearnoj oblasti izlaznih karakteristika; b) n kanalni MOSFET sa ugrađenim kanalom u oblasti kočenja svojih karakteristika; c) n kanalni JFET sa potpuno zgnječenim kanalom;
Slika 1. 2.5 Na slici 2. je prikazan: a) CMOS par b) SOS CMOS par c) VMOS
Slika 2 REZULTATI ZADATKA 3: Q( 30 mA; 6 V) ; IB= 0,3 mA. REZULTATI ZADATKA 4: d) R3=1 KΩ; e) R3*=333,3 KΩ 2