Epa U1-semiconductores De Potencia.pdf

Electrónica de Potencia Aplicada I. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Temario 1.1. Diodos de potencia. 1.1.1 Características y parámetros. 1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos. 1.1.3 Aplicaciones industriales. 1.1.4 Alimentación de motores de c.c. 1.2. Transistores de potencia. 1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT). 1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS). 1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). 1.2.4 Características y parámetros.

1

Temario 1.3. Aplicaciones en máquinas eléctricas. 1.3.1 Arranque y paro de un motor de c.c. con un IGBT. 1.3.2 Control de velocidad de motores de c.c. 1.4. Circuitos de control híbridos (Electrónicos-electromecánicos). 1.5 Circuitos de disparo. 1.5.1 Circuitos de disparo para transistores con aislamiento óptico. 1.5.2 Circuitos de disparo para transistores con aislamiento magnético. 1.5.3 Activación de circuitos de disparo con circuitos digitales.

Competencia de la Unidad Conoce y comprende los diferentes semiconductores de potencia para rectificar señales alternas y utilizarlas en forma rectificada en motores eléctricos de corriente directa y dispositivos de estado sólido.

2

Evaluación

1.1 Diodos de potencia Curva características polarización directa i

1

i [mA] (exponencial)

+ P

V

N

-

-0.25

0

0.25

V [V]

3

1.1 Diodos de potencia Curva características polarización inversa i [A]

i

+ P

V

0

-0.5

V [V]

N

-0.8

-

(constante)

1.1 Diodos de potencia Diodo Ideal

En polarización directa, la caída de tensión es nula, sea cual sea el valor de la corriente directa conducida

i

i Ánodo

+

curva característica V

Cátodo

-

V En polarización inversa, la corriente conducida es nula, sea cual sea el valor de la tensión inversa aplicada

4

1.1 Diodos de potencia Ánodo

Encapsulado (cristal o resina sintética)

Ánodo

Terminal Contacto metalsemiconductor

P N Cátodo

Marca señalando el cátodo

Oblea de semiconductor Contacto metalsemiconductor

Cátodo

Terminal

1.1 Diodos de potencia Encapsulados Axiales DO 201

1N4148 (Si)

DO 204

5

1.1 Diodos de potencia Encapsulados de Potencia DO 5

TO 220 AC

DOP 31 B 44

1.1 Diodos de potencia En aplicaciones industriales es común encontrar configuraciones de diodos en un mismo encapsulado

Puente de diodos

2 diodos en cátodo común

+

~

~

+ ~ +~

+ ~ ~ -

~

~ B380 C3700 -

BYT16P-300A (Si)

(Si)

B380 C1500 (Si)

6

1.1 Diodos de potencia Características Fundamentales Voltaje de ruptura Baja tensión Media tensión

Alta tensión

• Voltaje de ruptura inverso (Vrsm)

15 V

100 V

500 V

• Voltaje de polarización directa (Vf)

30 V

150 V

600 V

• Corriente máxima (If)

45 V

200 V

800 V

• Velocidad de conmutación

55 V

400 V

1000 V

60 V

1200 V

80 V

1.1 Diodos de potencia

El voltaje de ruptura inverso es crítico. Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo

7

1.1 Diodos de potencia

Corriente máxima de trabajo (Con disipador)

1.1 Diodos de potencia Características Dinámicas

8

1.1 Diodos de potencia Para mejorar las características de los diodos estos se conectan en arreglos. En paralelo para aumentar la corriente efectiva.

1.1 Diodos de potencia Para mejorar las características de los diodos estos se conectan en arreglos. En serie para aumentar el voltaje de ruptura inverso.

9

1.1 Diodos de potencia Para mejorar las características de los diodos estos se conectan en arreglos. Aumenta corriente efectiva y voltaje de ruptura inverso.

1.1 Diodos de potencia Recordemos: 𝑉

=

1 𝑇

𝑣 𝑡 𝑑𝑡

𝑉 =

1 𝑇

𝑣 𝑡 𝑑𝑡

10

1.1 Diodos de potencia Recordemos:

1.1 Diodos de potencia Rectificador Media Onda.

11

1.1 Diodos de potencia Vrms de Rectificador Media Onda. Vm de Rectificador Media Onda. DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

1.1 Diodos de potencia Rectificador Media Onda.

12

1.1 Diodos de potencia Rectificador Onda Completa.

1.1 Diodos de potencia Vrms de rectificador de onda completa. Vm de rectificador de onda completa. DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

13

1.1 Diodos de potencia Rectificador Onda Completa.

1.1 Diodos de potencia Rectificador Trifásico.

14

1.1 Diodos de potencia Vin - Rectificador Trifásico.

1.1 Diodos de potencia Vout - Rectificador Trifásico.

15

1.1 Diodos de potencia Vrms de rectificador trifásico Vm de rectificador trifásico DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

1.1 Diodos de potencia Vout - Rectificador Trifásico.

16

1.1 Diodos de potencia PRACTICA 1 PROBLEMA: Se desea iluminar un área por medio del circuito mostrado en la figura, sin embargo, cuando se conecta a la fuente de AC el circuito brilla un instante y se quema. En un foro en línea discuta de manera grupal las posibles causas y soluciones, llegue a un solución consensada. Simule e implemente el circuito.

1.1 Diodos de potencia TIPS: Para obtener un buen aprovechamiento de los leds se debe aplicar una corriente promedio de 30mA

17

1.1 Diodos de potencia PRACTICA 2: Conectar un motor de C.C. de 90Volts (carga de prueba si no es posible) a un voltaje pulsante de corriente directa (media onda y onda completa). Observar las formas de onda y medir el voltaje RMS y el voltaje promedio.

Electrónica de Potencia Aplicada 1. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

18

1.2 Transistores de Potencia Colector (N)

C

Base (P)

G

NPN

Emisor (N)

Bipolar Junction Transistor

E Isolated Gate Bipolar Transistor

Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor

Transistor Bipolar (BJT) Colector (N) Base (P)

Entrada

NPN

Emisor (N)

VCE= 5V

IB[mA] 100

VCE=0

Curvas de entrada

Referencias normalizadas

VCE= 10V VBE[V]

IC B VBE

C

E

+

+ -

IB

VCE

0

0,6

-

19

Transistor Bipolar (BJT) Curvas de salida Referencias normalizadas

IC [mA] 40

IC +

+ -

C

IB B

VBE

IB= 300A IB= 200A

20

VCE

IB= 100A

-

E

IB= 400A

0

2

IB=0A

VCE [V]

4

6

IEC0 =IC0·(1+bF)

Transistor Bipolar (BJT) Referencias normalizadas

40 IC

B

VBE

E

+

+ -

C

IB

VCE

Curvas de salida IC [mA] IB= 400A IB= 300A IB= 200A

20

IB= 100A

Saturación

-

Zona Activa

0

-2

IB=0 A -4

VCE [V] -6

Corte En circuitos de potencia, los transistores trabajan en saturación y en corte

20

Transistor Bipolar (BJT) Como en el caso de las uniones PN en general, se caracterizan como: • Capacidades parásitas (aplicaciones lineales) • Tiempos de conmutación (en conmutación)

Transistor saturado

Concentración

P+

nE 0

NpB (sat.)

pB corte

P

nC

Para cortar el transistor hay que eliminar todo este exceso de portadores.

Transistor cortado

El tiempo más largo es el de retraso por el almacenamiento de portadores minoritarios en la base, tS.

Transistor Bipolar (BJT) ¿Cómo disminuir el de retraso por el almacenamiento de portadores minoritarios en la base, tS? a) No dejando que el transistor se sature muy intensamente (que quede en el límite zona activa-saturación). b) Extrayendo los minoritarios de la base polarizando inversamente la unión base emisor.

pB (sat.)

Situación menos deseable (muy saturado)

pB (lim.)

Situación más deseable (en el límite) (desde en punto de vista de la rapidez)

21

Transistor Bipolar (BJT) R2 Circuitos de “antisaturación”:

R1

VCB + P

V2 N

El transistor se queda en el límite entre saturación y zona activa.

N

V1 Con diodo Schottky

Transistor Bipolar (BJT) R2

R1 Estos diodos impiden la polarización directa de la unión CB.

VCB + P

N

V2

N

V1 Con 3 diodos

22

Transistor Bipolar (BJT) Circuito con extracción lenta de los minoritarios de la base.

R2 Saturación

V1

V2

R1 Corte

N

+

P

VBE

N

-

Transistor Bipolar (BJT) Circuito para la extracción rápida de los minoritarios de la base.

Esta corriente es la de eliminación de los minoritarios de la base

V1

R2

C1

V2

R1/2 R1/2

N P

+

VBE

N

-

23

Transistor Bipolar (BJT)

TO 220

TO 247

Transistor Bipolar (BJT)

TO 3

D 61

24

Transistor Bipolar (BJT) Tensión CE máxima 40, 60, 80, 100, 150, 200, 250, 500 Corriente máxima 1 A – 100 A b (hFE) 5 - 50

A mayores potencias, los valores de b son menores

Transistor Bipolar (BJT) SOAR

Zona de trabajo seguro

Se dan fenómenos de avalancha secundaria Esta curva se modifica con la temperatura

25

Transistor Bipolar (BJT) SOAR (Safe Operating ARea)

Al aumentar la temperatura, disminuye la capacidad de manejar potencia

Transistor Bipolar (BJT) VCE

tF

tR

Las conmutaciones no son ideales , durante un cierto tiempo conviven tensión y corriente

IC

PÉRDIDAS

26

Transistor Bipolar (BJT) Características principales de los transistores de potencia.

• Tensión de ruptura • Corriente máxima • Disipación de potencia

Transistor Bipolar (BJT)

27

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT)

28

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT) Aplicación típica de transistor en corte y saturación.

Ic RL

Si la carga es inductiva requiere indispensablemente el diodo D1 para disipar la energía almacenada por este tipo de carga.

D1

Vpower RB

Ib

Q1

D1 debe de contar con las mismas características dinámicas del transistor.

Vbase

Este diodo recibe el nombre de diodo de giro libre o “free wheeling diode”.

29

Transistor Bipolar (BJT) Aplicación típica de transistor en corte y saturación.

Ic RL

Típicamente se requiere encontrar el valor de RB para saturar correctamente el transistor, por lo cual se analiza la malla de la base por donde pasa Ib.

D1

Vpower RB

Q1

Ib Vbase

La corriente de la base la determina la corriente Ic que circula por la malla colector emisor. 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 ℎ𝑓𝑒

Transistor Bipolar (BJT) Aplicación típica de transistor en corte y saturación. Ecuaciones para encontrar RB, Ib, Ic

DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

30

Transistor Bipolar (BJT) Ejemplo. Utilizando la configuración típica de corte y saturación, encontrar RB para un circuito donde la carga es un motor de 12V con una resistencia equivalente 4 ohms. El transistor utilizado es un 2N3055 y el diodo de giro libre un MUR460. Nota: Verifique que las características del transistor y el diodo sean adecuadas para la aplicación. Vsat 2N2222a = 1.2V hfe 2N3055 = 30

Transistor Bipolar (BJT) Se determina que la resistencia adecuada para la aplicación es de 39 Ohms. Se verifican los cálculos por medio de una simulación

31

Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar (BJT) Típicamente el voltaje y corriente de la base es suministrado por un dispositivo digital de baja potencia, como un microcontrolador, por lo que se requiere de una etapa previa de amplificación de corriente también llamada circuito de disparo. Esta etapa consiste en un transistor de pequeña señal con hfe elevado que será saturado por el dispositivo de baja potencia y este transistor a su vez saturará el transistor de potencia.

32

Circuitos de Disparo

Circuitos de Disparo Aplicación típica de transistor en corte y saturación. Típicamente se requiere encontrar el valor de RBB y RCC por lo que se analizan las 3 mallas por donde pasa I1 I2 e I3

DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

33

Circuitos de Disparo Ejemplo. Utilizando la configuración de corte y saturación con circuito de disparo, encontrar RBB y RCC para un circuito donde la carga es un motor de 12V con una resistencia equivalente 4 ohms. El transistor de potencia utilizado es un 2N3055, el transistor de pequeña señal es el 2N2222a y el diodo de giro libre un MUR460. Nota: Para asegurar el funcionamiento se consideran hfe bajas, así como, altos Vsat. Vsat 2N2222a = 1.2V hfe 2N2222a = 100 hfe 2N3055 = 30

PRACTICA 3

Circuitos de Disparo

34

Circuitos de Disparo

Como se puede observar la corriente entregada por el voltaje de control es menor a 1mA por lo que cualquier microcontrolador o dispositivo de baja potencia sería capaz de dispararlo.

Control de velocidad motor de CD En la mayoría de las aplicaciones de motores de CD es necesario el control de velocidad. Una forma de lograrlo es regular el voltaje y corriente aplicado a la armadura. Al aumentar el voltaje de armadura el motor acelera. Una de las técnicas mas utilizadas es la modulación por ancho de pulso o PWM (por sus siglas en inglés) para variar el voltaje y corriente promedio en la armadura.

35

Control de velocidad motor de CD

Esquema general de PWM.

Control de velocidad motor de CD

36

Control de velocidad motor de CD

Control de velocidad motor de CD Recordemos:

𝑉 =

1 𝑇

𝑣 𝑡 𝑑𝑡

37

Control de velocidad motor de CD Voltaje promedio en la carga. 𝑉

DEDUCCIÓN EN EL PIZARRÓN

Control de velocidad motor de CD Voltaje promedio en la carga. 𝑉

38

Control de velocidad motor de CD

Señal de disparo PWM

Control de velocidad motor de CD

39

Control de velocidad motor de CD

Control de velocidad motor de CD

40

Control de velocidad motor de CD Se observa la analogía entre un generador rampa y un contador digital

Control de velocidad motor de CD Implementación de PWM digital

Contador Digital

+ -

Registro de memoria

Comparador Digital

Señal PWM

41

Control de velocidad motor de CD Para implementar un PWM de manera digital se requiere de un contador, un registro de memoria y un comparador digital. La tarjeta de desarrollo ARDUINO UNO cuenta con este hardware internamente, por lo que la implementación del PWM es muy sencilla y eficiente.

Control de velocidad motor de CD Circuito Implementado

42

Control de velocidad motor de CD Periféricos Implementados

Control de velocidad motor de CD Diagrama de flujo Implementado

43

Circuitos de Disparo con Optoacoplador Un opto acoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor.

Su aplicación principal es la de aislar una fuente de control de una fuente de potencia al separar sus puntos de retorno común ó “tierras”.

Circuitos de Disparo con Optoacoplador

44

Circuitos de Disparo con Optoacoplador

Circuitos de Disparo con Optoacoplador

45

Circuitos de Disparo con Optoacoplador RL R1 VControl 100Ω 5V

VPower

U1 1

6 5

2

4

4N25

Circuitos típicos para activación del optoacoplador. R1 depende del valor necesario de corriente en el led.

GND_Power RL R1

6 5

1

47Ω

2

4

4N25

VControl 5V MCU

VPower

U1

Q1 2N2222A

R2 10kΩ

GND_Power

Circuitos de Disparo con Optoacoplador Ejemplo de aplicación.

RCC1 6.9kΩ

Rled 220Ω Vcontrol 5V

RCC 100Ω

RL 4Ω

D1 MUR460G

U1 1

6 5

2

4

4N25A

Vpot 12V

Q3 2N2222A Q2 2N3055G

GNDControl

PRACTICA 4

46

Circuitos de Disparo con Optoacoplador Ejemplo de aplicación. A

I: 17.2 mA I(p-p): 0 A I(rms): 0 A I(dc): 17.2 mA I(freq): --

A

PR2

Rled 220Ω

Vcontrol 5V

I: 1.47 mA I(p-p): 0 A I(rms): 0 A I(dc): 1.47 mA I(freq): --

RCC1 6.9kΩ

A

U1 1

6 5

2

4

V

D1 MUR460G

4Ω

PR4

PR3

V

4N25A

GNDControl

RCC 100Ω

I: 109 mA I(p-p): 0 A I(rms): 0 A I(dc): 109 mA I(freq): -- RL

Q3 2N2222A

A

PR1

I: 2.92 A I(p-p): 0 A Vpot I(rms): 0 A I(dc): 2.92 A 12V I(freq): --

Q2 2N3055G V: 137 mV V(p-p): 0 V V(rms): 0 V V(dc): 137 mV

Electrónica de Potencia Aplicada 1. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

47

Transistores de Potencia Dispositivos de compuerta

Colector (N)

C

Base (P)

G

NPN

Emisor (N)

Bipolar Junction Transistor

E Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor

Isolated Gate Bipolar Transistor

Transistores de Potencia Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

D

Es un dispositivo unipolar:

Canal N

G

Conducción debida a electrones

S

D G

Canal P S

Conducción debida a huecos

la conducción sólo es debida a un tipo de portador

Los más usados son los MOSFET de canal N La conducción es debida a los electrones y por tanto, son más rápidos

48

Transistores de Potencia ID

2,5KW

+ -

VGS = 4,5V

4 D

G

ID [mA]

S

+ VDS -

VGS = 4V 10V

VGS

2 0

VGS = 3,5V VGS = 3V VGS = 2,5V

4

12 VDS [V]

8

VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V Comportamiento resistivo

Curva característica de salida

Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto

Transistores de Potencia Encapsulados comunes D 61 TO 220

TO 247 TO 3

49

Transistores de Potencia Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

• Tensión de ruptura • Resistencia en conducción • Corriente máxima

Transistores de Potencia Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Baja tensión

Media tensión

Alta tensión

15 V

100 V

500 V

30 V

150 V

600 V

45 V

200 V

800 V

55 V

400 V

1000 V

60 V 80 V

50

Transistores de Potencia Resistencia en conducción (RDSon) El MOSFET en conducción se modela utilizando la RDSon

D RDSon

G S

Cuanto más baja es la resistencia, mejor es el transistor

Es el parámetro más importante en un MOSFET Este parámetro está directamente relacionado con la tensión de ruptura y con la capacidad de manejar corriente VDS

ID

RDSon

RDSon

Transistores de Potencia

51

Transistores de Potencia VDS

ID

RDSon

IRF 3205

55 V

110 A

8 mW

IRF 1405

55 V

169 A

5.3 mW

IRF 520

100 V

10 A

180 mW

IRF 3710

100 V

75 A

25 mW

IRF 540

500 V

8A

850 mW

IRFP 460

500 V

20 A

270 mW

IRFPG 30

1000 V

3A

5W

IRFPG 50

1000 V

6A

2W

Según la aplicación se selecciona la corriente máxima.

Transistores de Potencia Hay una tensión mínima para ponerlo en conducción: tensión umbral ó Threshold voltage: VGS(th) Valores típicos: 3 – 5 V Hay una tensión máxima de puerta. Por encima de ese valor, se rompe Valores típicos: ± 15 V, ± 20 V El circuito equivalente entre puerta y fuente se modela como un condensador (Ciss)

D Para hacer que el MOSFET se abra y se cierre, debemos cargar y descargar el condensador de puerta

G S

52

Transistores de Potencia Además de la capacitancia de puerta, hay otros dos condensadores. Estos generaran perdidas por conmutación.

D Crss Capacidad de transferencia

Coss Capacidad de salida

S

G

Transistores de Potencia Definición de tiempos de conmutación

VGS

VDS 90%

10%

td(on) tF

td(off)

tR

tR : tiempo de subida tF : tiempo de bajada td(on) : Retraso de encendido td(off) : Retraso de apagado

53

Transistores de Potencia VGS(th)

VDS Las conmutaciones no son ideales durante un cierto tiempo conviven tensión y corriente.

ID

PMosfet PÉRDIDAS

Transistores de Potencia Pérdidas de conducción

ID

D RDSon

G S

Pconducción = RDSon· Ief2

T

Pérdidas de conmutación

PMosfet Cálculo del valor medio de la forma de onda

54

Transistores de Potencia Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET. La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no por corriente

C MOSFET

Bipolar

G E Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de conmutación (Bipolar) No tiene diodo parásito

Transistores de Potencia Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frecuencia, etc.

55

Transistores de Potencia El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: • Bajo ciclo de trabajo • Baja frecuencia (< 20 kHz) • Pequeñas variaciones de entrada y de carga • Aplicaciones de alta tensión (>1000 V) • Alta potencia (>5 kW) Aplicaciones típicas del IGBT • Control de motores • Sistemas de alimentación ininterrumpida • Sistemas de soldadura • Iluminación de baja potencia (<100 kHz)

Transistores de Potencia Encapsulados comunes Módulos de potencia TO 220

TO 247

MTP

56

Transistores de Potencia Parámetros fundamentales para seleccionar un IGBT

• Tensión de ruptura • Corriente máxima • Tensión colector-emisor

Transistores de Potencia

57

Transistores de Potencia Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensión

Alta tensión

250 V

600 V

300 V

900 V 1200 V

(Poco usuales)

Transistores de Potencia

58

Transistores de Potencia Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares)

Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS)

Transistores de Potencia

Circuito equivalente del IGBT La base del bipolar no es accesible. La circuitería exterior no puede solucionar el problema de la eliminación de los minoritarios de la base

Genera

Cola de corriente que representa pérdidas por conmutación.

59

Transistores de Potencia Definición de tiempos de conmutación

IC

VGE 90%

Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutación del IGBT no dan información sobre las pérdidas de conmutación

10%

td(on)

tR

td(off) t F

tR : tiempo de subida

10% al 90 % IC

tF : tiempo de bajada

90% al 10 % IC

td(on) : Retraso de encendido

10% VGS al 10% IC

td(off) : Retraso de apagado

90% VGS al 90% IC

Transistores de Potencia Además de la capacitancia de puerta, hay otros dos condensadores. Estos generaran perdidas por conmutación.

Capacidad de transferencia

C Crss

Coss

G Capacidad de entrada

Capacidad de salida

E

Ciss

60

Circuito disparador de compuerta D Como se menciono anteriormente para hacer que el dispositivo se abra y se cierre, debemos cargar y descargar el capacitor que se encuentra entre Gate y Source.

G S

Circuito disparador de compuerta Recordemos el comportamiento de un circuito RC. XSC1 Tektronix P G

1 2 3 4

T

R1 22 Ohm V1 0V 12V 25us 50us

C1 100nF

61

Circuito disparador de compuerta Observe que la señal de excitación debe de ser de 12V, además de actuar como fuente (source) y sumidero (sink) de 500mA XSC1

Tektronix P G

1 2 3 4

T

XCP1 R1 22Ω V2 0V 12V 25us 50us

C1 100nF

Circuito disparador de compuerta Es evidente que los tiempo de carga y descarga del capacitor generarían altas pérdidas por conmutación, por lo que es necesario un circuito que funcione como una fuente de corriente para cargarlo y descargarlo rápidamente.

62

Circuito disparador de compuerta Configuración Totem- Pole XSC1 Tektronix

V1 12V

R2 220Ω 1Watt R4 1kΩ V2 0V 5V 25us 50us

Q2 BC547C

P G

1 2 3 4

T

R1 22Ω Q4 BC547C

Q1 BC557AP

C1 100nF

Circuito disparador de compuerta Configuración Totem- Pole forma de onda

Observe que la salida va invertida con respecto a la entrada.

63

Circuito disparador de compuerta XSC1

Aplicación Típica

Tektronix P G

V1 12V

R2 220Ω 1Watt R4 1kΩ V2 0V 5V 25us 50us

Q2 BC547C R1

RL 64Ω

1 2 3 4

T

D2 MUR840G

Q3 IRF640NS

V3 48V

22Ω Q4 BC547C

Q1 BC557AP

PRACTICA 5

Circuito disparador de compuerta Aplicación Típica

64

Circuito disparador de compuerta

V1 12V

R2 220Ω 1Watt R4 1kΩ V2 0V 5V 500us 1ms

Q2 BC547C R1

RL 64Ω

Q3 IRF640NS

D1

V3 120Vrms 60Hz 0°

1Ω Q4 BC547C

Q1 BC557AP

Circuito disparador de compuerta

65