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P1) a) No, a diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N. b) Es una propiedad intrínseca al material semiconductor, como el arseniuro de galio (GaAs), el efecto gunn aparece cuando el campo eléctrico aplicado es mayor al campo eléctrico umbral 𝐸𝑇𝐻 , el dispositivo semiconductor tendrá resistencia negativa. Si una placa de GaAs es conectada a una cavidad resonante, se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. “Cuando un potencial suficientemente alto se aplica al diodo, la densidad de portadores de carga a lo largo del cátodo se convierte en inestable, y se desarrollará pequeñas rebanadas de baja conductividad y alta intensidad de campo que se mueven desde el cátodo al ánodo. No es posible equilibrar la población en ambas bandas, por lo que no siempre será rodajas delgadas de alta resistencia de campo en un fondo general de baja intensidad de campo. Por lo tanto, en la práctica, con un pequeño aumento en la tensión directa, se crea una rebanada en el cátodo, aumenta la resistencia, la rebanada se quita, y cuando alcanza el ánodo se crea un nuevo segmento en el cátodo para mantener constante la tensión total. Si se baja la tensión, cualquier segmento, se apaga y la resistencia disminuye de nuevo.”

c) John B. Gunn observo el efecto que lleva su mismo nombre en el arseniuro de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP). d) La resistencia negativa se produce cuando cuando los electrones tienen una movilidad diferencial negativa.

P2) No, se tienen que cumplir ciertas características especiales para que entreguen energía.

P3) a) El circuito equivalente de un diodo Gunn, en la banda X, es el de un capacitor en paralelo con una resistencia negativa.

b) Aluminium Gunn-diode module 73701, Waveguide adapter with LD quick connectors.      

Operating voltage: 8…10 V DC Current consumption: approx. 120 mA Operating frequency: 9.40 GHz Microwave power: > 10 mW, typically 15 mW Connection: BNC socket Waveguide type: R100

c) d) P4) Debido a su capacidad de alta frecuencia, diodos Gunn se utilizan principalmente en frecuencias de microondas y superiores. Se pueden producir algunos de la potencia de salida más alta de todos los dispositivos semiconductores en estas frecuencias. Su uso más común es en los osciladores, pero también se utilizan en los amplificadores para amplificar las señales de microondas. Debido a que el diodo es un dispositivo de un puerto, un circuito amplificador debe separar la señal amplificada de salida de la señal de entrada entrante para evitar acoplamiento. Un circuito común es un amplificador de reflexión que utiliza un circulador para separar las señales. Se necesita una camiseta de sesgo para aislar la corriente de las oscilaciones de alta frecuencia sesgo. P5) https://www.elprocus.com/difference-impatt-diode-trapatt-diode-baritt-diode/ P6)