Dt - De1.doc

Đề 1 Thời gian 90 phút (Được sử dụng tài liệu) Câu 1 (3 điểm) Cho mạch điện như hình vẽ H1a, biết hệ số khuếch đại của BJT là β=200. Coi các tụ điện là ngắn mạch đối với tín hiệu xoay chiều.
Tính dòng điện IE và điện áp VCE trong chế độ phân cực một chiều, biết VBE = 0.7V
Tính hệ số khuếch đại xoay chiều tín hiệu nhỏ vO/vS, sử dụng mô hình tín hiệu nhỏ của BJT chỉ ra trên hình H.1b

rπ = β / gm

rp

gmvbe

gm = IC / VT VT = 25mV H.1a

H.1b

Câu 2 (3 điểm) Cho mạch điện như hình vẽ H.2a. Giả thiết MOSFET kênh n làm việc ở chế độ bão hòa, biết điện áp ngưỡng là Vt và tham số hỗ dẫn quá trình k’n, chiều dài kênh dẫn L và độ rộng kênh dẫn W. Coi các tụ điện là ngắn mạch đối với tín hiệu xoay chiều.
Tính dòng điện ID và điện áp VD trong chế độ một chiều (chỉ cần viết hệ phương trình, không cần giải)
Tính hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ vo/vs, sử dụng mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET chỉ ra trên hình H.2b

H.2a Câu 3 (2 điểm) Cho mạch điện như hình vẽ H.3

H.2b

H.3 Biết vref = 1V, vin = 8*sin(300t)V. Giả thiết op-amp lý tưởng với điện áp bão hòa dương ở đầu ra là VS+ = 10V, điện áp bão hòa âm ở đầu ra là Vs- = -10V. Tính và vẽ dạng điện áp VOUT. Câu 4 (2 điểm) Thiết kế mạch khuếch đại 2 đầu vào Uv1 và Uv2 dùng khuếch đại thuật toán. Coi khuếch đại thuật toán là lý tưởng. Yêu cầu mạch khuếch đại có đồng thời 2 tính chất sau:
điện trở vào đối với cả Uv1 và Uv2 đều bằng ∞
Ura = 40Uv1 – Uv2