Clase#6

Dispositivos semiconductores bipolares Clase # 6 EES_8 Gloria Chacón

La unión pn de los dispositivos semiconductores Es la unión que se forma en un equilibrio térmico donde se deja notar la polarizacion directa, la región de vaciamiento que depende de la anchura de la unión.

La unión pn

Características de las formación de la unión pn Para que el semiconductor pueda conducir se tiene que producir el efecto de que la barrera potencial supere la barrera. El campo eléctrico E que se produce en la unión pn es generada por las cargas, Este campo interactuando produce el efecto túnel en los diodos.

Si no hay polarizacion el nivel de Fermi es constante y por ende no existe flujo de corriente en la unión. La región de vaciamiento puede disminuir si la polarizacion es grande. El dispositivo semiconductor se degenera siempre y cuando el nivel de Fermi se encuentre en la banda permitida. El aumento de las polarizacion de los dispositivos semiconductores ocasionan o producen los subniveles de Fermi.

Ecuación de equilibrio térmico Donde np significa la polarizacion

n po pno = n ⋅ i

2

Ecuación de corriente-tensión

n = ni ⋅ e

 Ef − Ei     kT 

La ecuación características de la unión pn Esta ecuación depende de los subniveles de Fermi los cuales se producen debido al aumento de la polarización, directa y inversa así como de las concentraciones intrínsecas. Esta ecuación se convierte en la del equilibrio térmico si se igualan la polarizacion inversa a la polarizacion directa.

Tipos de polarizacion Polarizacion directa y inversa

Fin de la clase #6 "El premio de una buena acción es haberla hecho" (Séneca)