Phổ ánh sáng
CẢM BIẾN QUANG
Khái niệm Quang thông Φ : Công suất phát xạ, lan truyền hoặc hấp thụ (W, lumen) lumen = 1/683 watt) Cường độ sáng I : luồng năng lượng phát ra theo 1 hướng cho trước (candela, W/sr (steradian)). 1cd = 1lm/sr = 1/683 W/sr Mật độ sáng (độ chói): cường độ chiếu ra trên 1 đơn vị diện tích cd/cm2 hoặc W/sr.cm2. Độ rọi : tỷ số giữa luồng năng lương thu được bởi một phần từ trên diện tích bề mặt của nó. (lm/m2, lux) Mối liên hệ giữa cường độ sáng và công suất tia sáng: lux = 1,47 mW/m2.
Công nghệ của Diode quang • Được chế tạo theo công nghệ Planar. • Với một lớp trung tính (intrinsic) được đặt giữa hai lớp P và N (SiO2). Tính dẫn điện của chúng thay đổi theo mật độ, bước sóng của sóng bức xạ.
Chế độ quang thế: - Không có điện áp ngược đặt lên Diode, Diode làm việc như một máy phát. - Điện áp giữa 2 đầu Diode:
Ip : dòng quang điện
Điện áp ngược Vd đủ lớn Io << Ip do đó Ir ≅ Ip
e
⎡ qVd ⎤ ⎢ kT ⎥ ⎣ ⎦
→0 Trong đó I0 : dòng điện tối xuất hiện trong mối nối PN
Quang điện trở • Là phần tử thụ động có giá trị điện trở phụ thuộc vào cường độ chiếu sáng. • Các chất bán dẫn thường được sử dụng CdS (Cadmium Sulfid), CdSe (Cadmium Selenid), CdTe (Cadmium Tellurid)
Transistor quang
Diode phát quang • Được chế tạo từ GaAsP hay GaP cho vùng phổ ánh sáng nhìn thấy. Vật liệu chế tạo thường có hai dạng công nghệ: – Đỏ (GaAsP): hàm lượng P chiếm khoảng 40%. – Xanh, vàng và cam: với vật liệu GaP,
• Điện áp dẫn UF của các diode phát quang phụ thuộc vào vật liệu: – – – – –
GaAs-IR UF = 1,2V GaAsP (đỏ) LED UF = 1,6V GaP (xanh lá) LED UF = 1,8V GaAsP (vang) LED Uf = 2,1V GaN (lục) LED UF = 2,4V
Optocoupler • Ưu điểm: – hệ số liên kết cao – tần số làm việc cao hơn, thời gian đáp ứng ngắn. – độ cách điện cao hơn – việc thiết kế bền vững hơn.
Cảm biến quang điện tử • Cảm biến quang thu phát độc lập (một chiều, through beam, one way) • Cảm biến quang phản chiếu (retro reflective) • Cảm biến quang phản xạ (diffuse reflective)
Retro reflective
Ñoä tin caäy cao Giaûm bôùt daây daãn Coù theå phaân bieät ñöôïc vaät trong suoát, môø, boùng loaùng
Through beam optoelectronic sensor
Ñoä tin caäy cao Khoaûng caùch phaùt hieän xa Khoâng bò aûnh höôûng bôûi beà maët, maøu saéc vaät.
Diffuse reflective
Deã laép ñaët Bò aûnh höôûng bôûi maøu saéc, beà maët vaät, neàn …
PSD (Position Sensitive Detector)
• IA/IB = RB/RA = LB/LA = (L –LA)/LA • (IA-IB )/ (IA+IB) = (l-2lA)/l = 1 – 2(lA/l)