Conducibilità ionica e relazione con impurezze e difetti di punto
Conducibiltà in solidi ionici (σ ): caratteristiche σ :• Varia con la temperatura
•può essere modificata introducendo impurezze ( droganti)
σ
T= cost.
Ioffe (Russia) 1926
(uni.arb.)
Conc.imp.
•a purezza costante e T costante dipende dal tipo di solido
(NaCl a 800°C, è = 10-3 Ohm-1 cm-1).
σ dipende dalla temperatura nel modo seguente:
Frenkel, Schottky, Wagner 1933
Dobbiamo capire questo grafico ed in particolare la presenza di due pendenze
Decrizione microscopica: meccanismi di conducibilità Da un punto di vista microscopico: 2. Energia sufficiente 3. Posto vicino vacante
• conduzione via vacanze cariche E’ necessario rompere dei legami,
•Conduzione via interstiziali carichi
Portatori: •Ioni •Vacanze
Conducibilità: σ = qZnμ •μ = μ0exp(-Ea/kbT)
•dove Ea è l’energia di attivazione per la migrazione dello ione . •σ = qZnμ0exp(-Ea/kbT) •n=? Esempio : meccanismo di conduzione attraverso le vacanze : Movimento degli ioni = movimento delle vacanze in senso opposto n = [V]
n (T)
Caso 1 : Conducibilità intrinseca (solido puro)
− Ea σ = qZµ 0 n(T ) exp kb T n = [V ] = [V ] ∆H [V ] = A exp(− ) k bT
− ∆ H + Ea kB
− Ea ∆H σ = qZAµ o exp(− ) exp kbT kb T
σ = qZAµ 0 exp(−
∆H + Ea ) kbT
Conducibilità aumenta con la temperatura ! µo(T)
?
σ aumenta perchè aumenta la concentrazione dei portatori di carica
Concentrazione di difetti di Schottky in NaCl (Tf= 800 °C) T (°C) 25 200 400 600 800
nS (cm-3) 5. 105 6 108 8 1014 4 1016 1.1017
Caso 2 : conducibilità estrinseca, introduzione di impurezze
MgCl2 ( NaCl ) → Mg A + 2ClCl + VNa [V ] n [Vint ] [Vestr ] [Vint ] [ D] [ D ] [Vint ]
qZ [ MgCl2 ] Ea (T ) qZ [ MgCl2 ]o exp kT
D = drogante Nel nostro esempio D= [MgCl2]
A cosa corrispondono le due pendenze ?
∆H + Ea σ = qZAµ 0 exp(− ) kbT
Pendenza = Ea+ ∆H Ramo intrinseco
Ea σ = qZ [ D]µ o exp(− ) kbT
Pendenza = Ea Ramo estrinseco
Notiamo i punti di interesezione e anche che le pendenze riportate non sono uguali
Ea + ∆H
Ea Punti di intersezione ? = [Vintr] = [drogante]
In corrispondenza delle intersezione tra ramo estrinseco con il ramo intrinseco: N drogante = nintr. = [V] = K ½
[Vanion ] [Vcation ] = K equi RT ln K s GF
[V ] = K equi
GF H F TS F [VM ][VX ] K s
T3 T2 T1
n3 n2 n1
•Ricavo K1, K2, K3 a diversi valori di drogaggio e a diverse temperature (T1, T2, T3) •Riporto su un grafico il valore di lnK in in funzione di 1/T
RT lnK = - ∆G = - (∆H - T∆S) ∆H lnK = ∆S T y = ∆S - ∆H x
lnK
1/T
AgCl: meccanismo di conduzione interstiziale
a) Conduttività in NaCl cristallino Processo
Energia di Attivazione (eV)
migrazione di Na+
0.65-0.85
migrazione di Cl-
0.90-1.10
formazione di una coppia di Schottky
2.18-2.38
dissociazione di una coppia di vacanze ca. 1.3
b) Conduttività in altri solidi ionici Solido
E(eV)
MgO
3-5 per Mg2+, O2-
Na β allumina
0.16 per Nai
Na β" allumina
0.08-0.35 per Nai
RbAg4I5
0.05 per Ag+
Caratteristiche degli elettroliti solidi • gran numero di portatori (a differenza della maggior parte dei solidi ionici) • facili trasferimenti (hops), basse E (ca. 0.1-0.9 eV) • si tratta di un fenomeno abbastanza raro • si verifica in vetri, ceramici, cristalli, gel • si verifica principalmente con ioni M+, F- e O2• solo una specie mobile (a differenza degli elettroliti liquidi) :
Zirconia drogata Ossido di calcio Ca2+ per Zr4+ in ZrO2
CaO ⇒ CaZr + OO + VO