Bai Tap Bo Sung Phan Fet

  • May 2020
  • PDF

This document was uploaded by user and they confirmed that they have the permission to share it. If you are author or own the copyright of this book, please report to us by using this DMCA report form. Report DMCA


Overview

Download & View Bai Tap Bo Sung Phan Fet as PDF for free.

More details

  • Words: 1,996
  • Pages: 7
BÀI T P 4.1 H c tuy n cho vùng làm vi c c a transistor hi u ng tr ng kênh-n c th có th g n úng b ng ph ng trình: iD = 0 ,5(4 + vGS )2 mA , khi duy trì các i u ki n: RS = 500Ω, RD = 2kΩ, Rin = 100kΩ, IDQ= 5mA, và VDD = 20V. Hãy xác nh các thông s sau: a) VGSQ; b) VD; c) VDSQ; d) R1 + R2. D a trên m ch hình P4.1. 4.2 Trong m ch hình 4.16a, khi có R1 = 21kΩ, R2 = 450kΩ, RS = 500Ω, RD = 1,5kΩ, RL = 4kΩ, và VDD = 12V, xác nh các thông s sau khi VDSQ = 4V: a) IDQ; b) VGSQ; c) Rin; d) Av khi gm = 3,16mS; e) Ai. 4.3 Trong m ch hình 4.16a, RD = 2kΩ, RL = 5kΩ, Rin = 100Ω, RS = 300Ω, và VDD = 15V. Xác nh các tr s c a R1 và R2 c n thi t transistor làm vi c m c 4mA khi VGSoff = - 4V và IDSS = 8mA. Tính h s khuy ch i n áp và dòng i n c a m ch khuy ch i.

4.4 a) Thi t k m ch khuy ch i CS (hình P4.1) s d ng JFET kênh-p áp ng các thông s yêu c u là Av = - 10 và Rin = 20kΩ. Gi thi t là i m-Q c ch n t i IDQ = - 1mA, VDSQ = -10V, VGSQ = 0,5V. b) Tính Ai, R1, R2, RS, và RD. (D a vào c tuy n hình P4.2. u ý r ng có th có chia tách RS và m ch r cho RS. 4.5 L p l i bài t p 4.4 khi RL là 20kΩ c m c vào c c máng qua m t t ghép. Chú ý là có th c n ph i ch n m-Q khác. 4.6 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng MOSFET nh m ch hình P4.3. Cho RL = 1kΩ, Av = - 1, Rin = 15kΩ. i mQ c ch n t i VGSQ = 3V, IDQ = 7mA, VDSQ = 10V, trong ó gm = 2300µS. Xác nh các tr s cho t t c các c u ki n còn l i. 4.7 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng JFET kênh-n cho ki u m ch nh hình P4.4, v i Av = - 1, VDD = 12V, RL = 1kΩ, Rin = 15kΩ, IDSS = 10mA, và VGSoff = - 4V. S d ng IDQ = IDSS / 2. 4.8 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng JFET kênh-n khi có RL = 4kΩ, Av = - 3, và Rin = 50kΩ. Gi s là transistor s d ng có VGSoff = - 4,2V và IDSS = 6mA. S d ng m ch hình P4.4 v i VDD = 20V. Xác nh Ai. 4.9 Thi t k m ch khuy ch i CS b ng JFET kênh-n có AV = -2, Ai = -20, VDD = 12V, và RL = 5kΩ. Xác nh t t c các tr s c u ki n và m c công su t nh m c c a transistor. (m ch có th c n ph i thay i áp ng thi t k ). Transistor c ch n có VGSoff = - 5V và IDSS = 8mA. S d ng IDQ = 0,4IDSS và VDSQ = VDD/2. Xem m ch hình P4.4. 4.10 Thi t k m ch khuy ch i b ng JFET kênh-p CS v i AV = - 4, Ai = 40, RL = 8kΩ, và VDD = - 16V. Transistor c ch n có VGSoff = 3V và IDSS = - 7mA, s d ng IDQ = 0,3IDSS và VDSQ = VDD/2. S d ng m ch hình P4.4. Xác nh công su t nh m c c a transistor. 4.11 Thi t k m ch khuy ch i b ng JFET kênh-p CS v i t i là 5kΩ, s

d ng m ch hình P4.4. Cho VDD = - 20V, AV = - 2, Ai = - 20, VGSoff = 6V và IDSS = - 5mA. Xác nh công su t nh m c c a transistor. 4.12 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n, chung c c ngu n (CS) s d ng transistor 3N128 (ph l c D) cho t i là 10kΩ v i h s khuy ch i n áp Av = - 10. S d ng m ch hình P4.3. Ch n m-Q b ng cách s d ng h c tuy n th hi n các thông s k thu t khi Rin > 10kΩ. 4.13 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n, chung c c ngu n (CS) s d ng transistor 3N128 (ph l c D) cho t i là 2kΩ v i Av = - 4 và Rin > 100kΩ. Gi s r ng, m-Q ã c ch n là VGSQ = - 0,6V, VDSQ = 10V, IDQ = 10mA, VDD = 20V. Tham kh o m ch hình P4.3. 4.14 Phân tích m ch khuy ch i b ng JFET kênh-n CS nh m ch hình P4.5, khi có t i là 20kΩ, RD = 8kΩ, VDD = 24V, và Rin = 50kΩ. Ch n m-Q có VGSQ = - 1,5V, VDSQ = 12V, IDQ = 1mA, và gm = 2,83mS. Hãy tính t t c các tr s c a c u ki n, Ai, và Av.

4.15 N u RS m ch hình P4.4, c r m ch b ng t , thì h s khuy ch i n áp là bao nhiêu ? Gi s r ng m-Q ã c ch n có gm = 1,5mS, RD = 3,2kΩ, và RL = 5kΩ. Xác nh h s khuy ch i dòng i n khi RS = 500Ω, R1 = 200kΩ, và R2 = 800kΩ. 4.16 H s khuy ch i n áp Av c a m ch hình P4.4, là bao nhiêu n u tín hi u c cung c p vào m ch khuy ch i có n tr c a ngu n n áp là Ri = 10k ? Gi s r ng, RD = 10kΩ, và RL = 10kΩ, RS = 500Ω, gm = 2mS, R1 = 25kΩ, và R2 = 120kΩ. 4.17 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng RS c r m ch b ng m t t n. VDD = 15V, RD = 2kΩ, RL = 3kΩ, RS = 200Ω, R1 = 500kΩ, IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V. Hãy xác nh Av, Ai, Rin, và i m-Q cho m ch khuy ch i. 4.18 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng VDD = 20V, RD = 2kΩ, RL = 10kΩ, RS = 200Ω, R1 = 1MΩ, IDSS = 10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác nh m-Q, Av, Ai, Rin, và cho m ch khuy ch i. 4.19 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng VDD = 20V, RD = 2kΩ, RL = 6kΩ, RS = 100Ω, R1 = 1MΩ, IDSS = 10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác nh m-Q, Av, Ai, Rin, và cho m ch khuy ch i. 4.20 Cho m ch khuy ch i CS nh hình P4.1, s d ng JFET có IDSS = 2mA, và gm0 = 2000µS. N u tr s c a RD = 10kΩ, RL = 200Ω, thì h s khuy ch i n áp Av là bao nhiêu i v i các giá tr c a VGSQ sau ây ? a) – 1V; b) – 0,5V; c) 0V. 4.21 M ch khuy ch i CS hình P4.6, v i transistor có VGSoff = - 4V, IDSS = 4mA, và rDS = 500Ω. N u RD = 2kΩ, RL = 4kΩ, và RS = 200Ω, thì h s khuy ch i n áp Av c a m ch là bao nhiêu n u VGSQ = - 1V ? Av s nh th nào khi rDS t n vô cùng ? 4.22 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n CS nh m ch hình P4.3, khi có RL = 4kΩ, Av = - 5, và Ai = - 10. Gi s r ng, m-Q ã ch n có VDSQ = 10V, VGSQ = 4V, IDQ = 2mA, và gm = 4000µS. 4.23 Cho m ch nh hình P4.7, có Ri = 50kΩ, R1 = 100kΩ, R2 = 800kΩ, RD = 4kΩ, RL = 6kΩ, RS = 200Ω, và VDD = 20V, xác nh các thông s sau khi s d ng FET có VDSQ = 6V, gm = 2,5mS: a) IDQ, VGG, và VGSQ b) Av, Rin, và Ai. 4.24 Cho m ch nh hình P4.7, n u lo i b R2, transistor FET làm vi c m c dòng là 2mA. Tr s c a các c u ki n là Ri = 100kΩ, R1 = 400kΩ, RD = 3kΩ, RL = 5kΩ, và VDD = 12V. Xác nh các thông s sau khi s d ng transistor có IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V: a) RS b) Av, Rin, và Ai.

4.25 Thi t k m ch khuy ch i l p l i c c ngu n (SF) b ng JFET kênh-p nh hình P4.8, v i Rin = 20kΩ, nh n c h s khuy ch i n áp Av g n b ng 1. Tính Ai, R1, R2, và RS. S d ng h c tuy n cho hình P4.2.

4.26 L p l i bài t p 4.25, khi có t i là 20kΩ c ghép t v i m ch khuy ch i. 4.27 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET ki u máng chung (CD) khi có RL = 100Ω, Ai = 200, và Rin = 100kΩ. S d ng transistor có VGSoff = - 6V và IDSS = 20mA. Xác nh Av và giá tr c a t t c các i n tr . M ch s d ng hình P4.9. 4.28 Thi t k m ch khuy ch i CD b ng MOSFET kênh-n, trong ó Rin = 120kΩ, Ai = 100, RL = 500Ω, VDD = 20V, và ch n transistor có VGSoff = - 5V và IDSS = 15mA. S d ng m ch hình P4.9, v i IDQ = 0,6IDSS và VDSQ = VDD/2. 4.29 Thi t k m ch khuy ch i l p l i c c ngu n (SF) s d ng JFET kênh-n cho h s khuy ch i dòng là 100 và i n tr vào là 500kΩ. T i là 2kΩ. Ch n m-Q theo các tham s là: VDSQ = 8V, IDQ = 5mA, VGSQ = - 1V, và gm = 4mS. Xác nh các n tr , h s khuy ch i n áp và v m ch khi VDD = 10V. 4.30 L p l i bài t p 4.29 nh ng v i transistor khác v i giá tr c a các thông s là: VGSoff = - 3V, IDSS = 10mA. 4.31 Thi t k m ch nh hình 4.21, khi có VDD = 16V và RL = 8kΩ. S d ng transistor có VGSoff = 3,33V, IDSS = 10mA. Xác nh toàn b tr s c a c u ki n, Ai, và Av khi có Rin = 12kΩ. 4.32 D a vào bài t p 4.31, xác nh toàn b tr s c a c u ki n, Ai, và Av khi có Rin = 200kΩ. Appendix D: Manufacturers’ Data Sheets

Related Documents

Bo Sung
July 2020 19
14.upload Bo Sung
May 2020 8
Don Xin Bo Sung
November 2019 17