Bai Tap Bo Sung Phan Bjt

BÀI T P CU I CH NG BJT 3.1 Hãy d n xu t các ph ng trình c a Av, Ai và Rin cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.1. 3.2 Tính Rin, Av, và Ai khi có RB = RL = 5kΩ, RE = 1kΩ, và h ie = 0 cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.2. Cho β: a) β = 200; b) β = 100; c) β = 10.

3.3 Hãy xác nh Av, Ai và Rin cho m ch khuy ch i nh hình P3.2, khi có RB = RL = 5kΩ, hib = 40Ω, β = 300, và RE cho b i: a) RE = 1kΩ; b) RE = 0,5kΩ; c) RE = 100Ω; d) RE = 0. 3.4 Cho m ch khuy ch i emitter-chung nh hình P3.1, VBE = 0,6V, VCC = 12V, β = 300, PL(bình quân l n nh t) = 100mW, và Av = - 10. Hãy xác nh R1, R2, Rin và Ai. M c công su t tiêu tán trong transistor là bao nhiêu ?. 3.5 Xác nh Av cho m ch khuy ch i hình P3.3, trong ó hie = 2kΩ, hre = 0, hfe = 200, và 1 hoc = 8kΩ. 3.6 Cho m ch khuy ch i emitter-chung nh hình P3.4, trong ó h ie = 1kΩ, h oe = 10 S, và hfe = 50, v c tuy n cho m i tr ng h p sau: a) Ai = iL iin khi cho RB << hie, nh m t hàm s c a giá tr RL. Cho RL bi n thiên t 0 n 500kΩ. b) Ai nh m t hàm s c a RL nh ng cho hre = 0 = hoe. 3.7 Cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.5, xác nh bi n thiên c a Ai và Rin n u hfe c a transistor silicon bi n thiên t 50 n 150. 3.8 Hãy xác nh hie, Ai, Rin, vo vi và Ro cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.6, n u h fe = 100 và h re = hoe = 0.

3.9

Hãy so sánh các i n tr vào và các h s khuy ch ng ac nh hình P3.7.

i

n áp c a các m ch khuy ch

it

ng

3.10 Hãy thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.8, s d ng transistor pnp khi có RL = 3kΩ, Av = - 10, VBE = - 0,7V, β = 200, Ai = - 10, và VCC = - 12V. Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, Rin, và dao ng c a n áp l n nh t trên RL. 3.11 Thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.8, s d ng transistor pnp khi có RL = 4kΩ, Av = 10, Ai = - 10, VBE = 0,7V, β = 200, và VCC = 15V. Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, và dao ng c a n áp ra nh- nh l n nh t.

3.12 Thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.4, s d ng transistor npn khi có RL = 9kΩ, Av = 10, Ai = - 10, VBE = 0,7V, β = 200, và VCC = 15V. Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, Rin, và dao ng c a n áp ra nh- nh l n nh t. 3.13 Thi t k m ch khuy ch i CE nh n c h s khuy ch i n áp là - 25 khi có Rin = 5kΩ, RL = 5kΩ, VCC = 12V, β = 200, và VBE = 0,7V. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, h s khuy ch i dòng i n, và dao ng c a n áp ra l n nh t. S d ng m ch hình P3.8, nh ng v i transistor npn. 3.14 Phân tích m ch hình P3.9 và xác nh các yêu c u sau khi có β = 300, và VBE = 0,6V. a) ICQ và VCEQ. b) dao ng n áp ra không nhi u. c) Công su t c cung c p t ngu n cung c p. d) H s khuy ch i n áp. e) Các ng t i. 3.15 Thi t k m ch khuy ch i CE nh n c h s khuy ch i n áp là - 10 khi có Rin = 2kΩ, RL = 4kΩ, VCC = 15V, VBE = 0,6V, và β = 300. M ch khuy ch i c n ph i cho dao ng c a n áp ra không b méo d ng 2V, nên vi c thi t k c n ph i th c hi n tiêu hao m c dòng nh nh t t ngu n cung c p dc. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n và h s khuy ch i dòng i n.

3.16 Thi t k m ch khuy ch i có h s khuy ch i toàn b là - 15 khi i n áp vào có tr kháng c a ngu n (Ri) là 2kΩ và b khuy ch i t có Rin = 4kΩ, VBE = 0,7V, và β = 200. (xem hình P3.10). m ch khuy ch i c n ph i cho dao ng c a n áp ra l n nh t. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, h s khuy ch i dòng i n Ai và dao ng c a n áp ra l n nh t. 3.17 Thi t k m ch khuy ch i nh m ch hình P3.11, có h s khuy ch i là - 200 v i n tr vào là 1kΩ. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, và dao ng c a n áp ra l n nh t khi có β = 400 và VBE = 0,7V.

3.18 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.12, u khi n t i 200Ω s d ng transistor silicon pnp. VCC = - 24V, = 200, Ai = 10, và VBE = - 0,7V. Hãy xác nh tr s c a c u ki n và tính Rin, ICQ, và dao ng n áp ra i x ng không méo d ng i v i m i tr s c a RE cho d i ây: a) RE = RL. b) RE = 0,2RL. c) RE = 5RL. So sánh các k t qu tính b ng bi u . 3.19 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình 3.11a, s d ng transistor npn v i RL = 500Ω, VBE = 0,7V, Ai = 25, β = 200, và VCC = 15V. Hãy xác nh tr s c a c u ki n, Rin, Av, và dao ng i n áp ra i x ng l n nh t. 3.20 Thi t k m ch khuy ch i EF lái t i 8Ω, khi có = 60, VCC = 24V, VBE = 0,7V, Av = 1, và Ai = 10. S d ng m ch nh hình 3.11a. Hãy xác nh tr s c a c u ki n, dao ng n áp ra, Rin 3.21 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.11a, s d ng transistor npn v i RL = 1500Ω, VBE = 0,7V, Ai = 10, β = 200, và VCC = 16V. Hãy xác nh tr s c a c u ki n, Rin, Av, và dao ng i n áp ra i x ng l n nh t. 3.22 Phân tích m ch nh hình P3.13, và xác nh các yêu c u sau khi có β = 300 và VBE = 0,6V: a) ICQ và VCEQ. b) dao ng c a n áp ra không méo. c) Công su t c n thi t t ngu n cung c p. d) Công su t ra l n nh t (ac không méo d ng). e) Các ng t i. 3.23 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.11a, u khi n t i 10Ω v i VCC = 24V, VBE = 0,6V, Av = 1, Rin = 100Ω, và β = 200. Hãy xác nh tr s c a t t c c u ki n, Rin, và dao ng i n áp ra i x ng l n nh t. 3.24 Phân tích m ch nh hình P3.14, khi có β = 100 và VBE = 0,7V và xác nh các yêu c u sau: a) ICQ và VCEQ. b) dao ng c a i n áp ra không méo. c) Công su t c n thi t t ngu n cung c p. d) Công su t ra l n nh t (ac không méo d ng). e) Các ng t i. 3.25 Thi t k m ch khuy ch i CB (xem hình 3.13), có h s khuy ch i n áp b ng 10 và t i 4kΩ. S d ng β = 100, VBE = 0,7V, VCC = 18V và RE = 500Ω. Hãy xác nh tr s c a ICQ, R1, R2, RB và dao ng c a n áp ra. H s khuy ch i n áp là bao nhiêu khi R1 c r m ch b ng m t t n có n d ng l n?.

3.26 Thi t k m ch khuy ch i CB b ng cách s d ng các tr s cho bài t p 3.25 ngo i tr h s khuy ch i n áp là 100. Hãy xác nh tr s c a R1, R2, ICQ, RB và dao ng c a n áp ra l n nhât. 3.27 Thi t k m ch khuy ch i CB có dao ng i n áp l n nh t và tr kháng vào th p nh t là 100Ω, RL = 8kΩ, VCC = 12V, và RE = 500Ω. S d ng transistor npn có β = 200, và VBE = 0,7V. Hãy xác nh tr h s khuy ch i n áp và tr s c a t t c n tr . 3.28 Phân tích m ch khuy ch i CB có Rin, Av, và Vo(p-p) theo các tr s s d ng nh sau: VCC = 16V, R1 = 2kΩ, R2 = 25kΩ, RE = 200Ω, RC = RL = 4kΩ, β = 200, và VBE = 0,7V. Base c n i t ac nh hình 3.13. 3.29 Hãy xác nh các tr s c a V1, V2, V3, V4, IC1, và IC2 c a m ch hình P3.15. β = 300 cho c hai transistor.

3.30 Ghép tr c ti p m t m ch khuy ch i CE v i m ch EF (xem hình 3.15b)) cho dao ng c a n áp ra là 4V v i các tr s nh sau: VCC = 12V, Av = 10, Q1 có β = 200 và VBE = 0,7V, Q2 có β = 100 và VBE = 0,7V, và RE1 = 100Ω. L y RC = 4kΩ, và xác nh R1, R2, và RE. 3.31 Cho m ch nh hình P3.16, xác nh các yêu c u sau khi có β = 400 và VBE = 0,6V: a) i m-Q cho c hai m ch khuy ch i. b) dao ng c a n áp ra không méo l n nh t. c) V d ng sóng c a tín hi u ra. d) H s khuy ch i n áp vo vi.

3.32 Cho m ch nh hình P3.17, khi có vi = 0,1sin 1000t V, xác = 0,7V): a) T u c c vo(+) n u c c vo(-). b) T u c c vo(+) n t. 3.33 Tính Ai, Av, và Rin c a m ch khuy ch i EF nh hình P3.18, khi cho β = 200 và hib = 0. 3.34 Hãy xác nh các h s khuy ch i dòng và áp toàn b , n tr vào cho m ch khuy ch i ghép bi n áp nh hình P3.19. S d ng transistor npn, v i a = 4, R1 = 2kΩ, R2 = 4kΩ, VCC = 15V, β = 200, và RL = 500Ω. B qua hie.

nh i n áp ra (cho β = 200 và VBE

3.35 Tính Ai, Av, cho m ch khuy ch

3.36 Hãy xác

i hai t ng nh

nh Ai, Av, cho m ch khuy ch

hình P3.20. Các transistor là silicon.

i hai t ng nh

hình P3.21.

3.37 Tính Ai, Av, và Rin cho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.22. 3.38 Thi t k m ch khuy ch i CE b ng transistor npn có n áp ra l n nh t v i các yêu c u sau: Av = - 20, Rin = 4kΩ, RL = 5kΩ, VCC = 12V, β = 300, VBE = 0,7V. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, dao ng c a n áp ra nh- nh không méo d ng, và h s khuy ch i dòng i n.

3.39 Tính R theo các m c n áp dc có Vo = 0 cho m ch hình P3.23. Tính ICQ1, ICQ2, Rin, Ro, và Av. Bi t r ng, VBE = 0,7V và β = 100 i v i c hai transistor.