1. Teste Dioda.pdf

Capitolul 1 Dioda semiconductoare “p-n”

1. 1p

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu p a fost notată: Jonţiune metalurgică A

C p ≅ NA

a) b) c) d) 2. 1p

concentraţia de atomi acceptori; concentraţia de atomi donori; concentraţia de electroni; concentraţia de goluri.

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu NA a fost notată: a) b) c) d)

4. 1p

Figura 1.1

concentraţia de atomi acceptori; concentraţia de atomi donori; concentraţia de electroni; concentraţia de goluri.

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu n a fost notată: a) b) c) d)

3. 1p

n ≅ ND

concentraţia de atomi acceptori; concentraţia de atomi donori; concentraţia de electroni; concentraţia de goluri.

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu ND a fost notată: a) b) c) d)

concentraţia de atomi acceptori; concentraţia de atomi donori; concentraţia de electroni; concentraţia de goluri.

1

Dida semiconductoare „p-n”

5. 1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fost notat: vA A

C iA

a.) b.) c.) d.)

Figura 1.2

anod; catod; valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă; valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

6. 1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost notat: a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă; d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

7. 1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu vA a fost notat: a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă; d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

8. 1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu iA a fost notat: a.) anod; b.) catod; c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă; d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

9. 3p

Prin efect de diodă se înţelege: a.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă numai de la catod spre anod; b.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă numai de la anod spre catod; c.) în funcţionare normală – practic – sensul curentului prin diodă este dictat de circuitul exterior diodei; d.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă

2

Elemente de electronică analogică - teste

uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod; 10. 1p

Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 1 reprezintă E p

-

-

+ + + + + + +

1.

+ + + + + +

+ + + + + +

+ + + + + +

n

2.

3.

Figura 1.3

a.) b.) c.) d.)

regiunea neutră p; regiunea neutră n; regiunea de tranziţie; nu are o semnificaţie deosebită.

11. 1p

Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 2 reprezintă a.) regiunea neutră p; b.) regiunea neutră n; c.) regiunea de tranziţie; d.) nu are o semnificaţie deosebită.

12. 1p

Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 3 reprezintă a.) regiunea neutră p; b.) regiunea neutră n; c.) regiunea de tranziţie; d.) nu are o semnificaţie deosebită.

14. 2p

Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul joncţiunii metalurgice ca efect al: E p

Regiune neutra p

-

------

-

+ + + + +

+ + + + +

+ + + + +

+ + + + +

+ + + + +

Regiune de tranziţie Figura 1.4

a.) difuziei purtătorilor fixi;

3

n

Regiune neutră n

Dida semiconductoare „p-n”

b.) sarcinii purtătorilor mobili; c.) sarcinii purtătorilor fixi; d.) difuziei purtătorilor mobili. 15. 3p

Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de: a.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre regiunea neutră p şi regiunea de tranziţie; b.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre regiunea neutră n şi regiunea de tranziţie; c.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre regiunea neutră n şi regiunea neutră p; d.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori din jurul joncţiunii metalurgice.

16. 3p

Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de gradientul de concentraţie existent în jurul joncţiunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen în structură apar sarcini fixe reprezentate de: a.) ionii prinşi în reţeaua cristalină; b.) electronii din structură; c.) golurile din structură; d.) structura reţelei cristaline

17. 2p

Câmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziţie este datorat: a.) ionilor prinşi în reţeaua cristalină; b.) electronilor din structură; c.) golurilor din structură; d.) structurii reţelei cristaline.

18. 2p

La polarizare inversă plus (+) pe catod şi minus (-) pe anod bariera internă de potenţial este: a.) crescută; b.) coborâtă; c.) neafectată; d.) uneori crescută, uneori coborâtă.

4

Elemente de electronică analogică - teste

19. 2p

La polarizare directă plus (+) pe anod şi minus (-) pe catod bariera internă de potenţial este: a.) crescută; b.) coborâtă; c.) neafectată; d.) uneori crescută, uneori coborâtă.

20. 2p

Din punct de vedere formal, dioda este integral descrisă de: a.) b.) c.) d.)

21. 3p

singură ecuaţie caracteristică; un sistem de două ecuaţii caracteristice; un număr de ecuaţii care depinde de topologia circuitului; un număr de ecuaţii care depinde de regimul de funcţionare

Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mare dioda este integral descrisă de o ecuaţie de tipul: n m a.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A , θ , K , θ  = 0 A A 1 p  dt dt n dt dt m





b.) E (i A , v A ) = 0 c.) ia = g a va d.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A  = 0 A  A dt dt n dt dt m  n

m



22. 3p



Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mic dioda este integral descrisă de o ecuaţie de tipul: n m a.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A , θ , K , θ  = 0 A 1 p n  A dt dt dt dt m





b.) E (i A , v A ) = 0 c.) ia = g a va d.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A  = 0 A  A dt dt n dt dt m  n

m



23. 2p



Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a diodei ideale este a.) i = I exp eT  − 1 A S   

 vA 



5

Dida semiconductoare „p-n”

b.) i = I exp v A  − 1 A S     eT   c.) i = I exp v A  + 1 A S     eT   d.) i = I exp eT  + 1 A S     vA  

24. 2p

Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a diodei ideale este:  v   i A = I S exp A  − 1   eT  

unde: eT =

kT q

şi poartă numele de tensiune termică. S-au folosit notaţiile: k constanta lui Boltzman; q sarcina electronului; T temperatura absolută. La temperatura ambiantă eT are valoarea: a.) eT≅2.5 mV b.) eT≅25 mV c.) eT≅250 mV d.) eT≅2.5 V 25. 1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. VBR

iA 4.

2.

IS

vA 3.

1.

IS reprezintă:

Figura 1.5

a) curentul mediu redresat monoalternanţă; b) curentul maxim admisibil; 6

Vγ

Elemente de electronică analogică - teste

c) curentul rezidual; d) curentul mediu redresat dublă alternanţă. 26. 1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Vγ reprezintă: a) tensiunea de străpungere; b) tensiunea de prag; c) tensiunea medie redresată monoalternanţă; d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

27. 1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. VBR reprezintă: a) tensiunea de străpungere; b) tensiunea de prag; c) tensiunea medie redresată monoalternanţă; d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

28. 1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 1 a fost notată regiunea de: a) străpungere; b) blocare la polarizare inversă; c) blocare la polarizare directă; d) conducţie

29. 1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 2 a fost notată regiunea de: a) străpungere; b) blocare la polarizare inversă; c) blocare la polarizare directă; d) conducţie

30. 1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 3 a fost notată regiunea de: a) străpungere; b) blocare la polarizare inversă; c) blocare la polarizare directă; d) conducţie

31.

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 4 a fost notată

7

Dida semiconductoare „p-n”

1p

regiunea de: a) străpungere; b) blocare la polarizare inversă; c) blocare la polarizare directă; d) conducţie

32. 2p

Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi poartă numele de model de ordin zero. iA

Model de ordin zero

Caracteristica reală

vA Figura 1.6

Conform acestei aproximări schema echivalentă a diodei este: rB Vγ a.) A

A

C

C A

b.)

C

conducţie blocare

Vγ A

A

C

A

c.)

C C

A A

blocare C

C A

d.)

C

A A

conducţie

blocare C

C A

conducţie

C

conducţie blocare

33. 2p

Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în regim de conducţie dioda se comportă ca: a) un rezistor; b) un circuit întrerupt; c) un scurtcircuit; d) un condensator

34.

Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi 8

Elemente de electronică analogică - teste

2p

poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în regim de blocare dioda se comportă ca: a) un rezistor; b) un circuit întrerupt; c) un scurtcircuit; d) un condensator

35. 3p

Multiplicarea în avalanşă are loc la: a) b) c) d)

36. 3p

Efectul "tunel" are loc: a) b) c) d)

37. 2p

tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate. tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate. tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate. tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.

tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate. tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate. tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate. tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.

Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare. IZM

iZ

IZm VZ

vZ

Figura 1.7

Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii o asemenea diodă trebuie să lucreze în regim de: a) străpungere; b) blocare la polarizare inversă; c) blocare la polarizare directă; d) conducţie 38. 2p

Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare. Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii trebuie să satisfacă condiţia: a) I Z m ≥ iZ ≤ I Z M 9

Dida semiconductoare „p-n”

b)

I Z m ≤ iZ ≤ I Z M

c)

I Z m ≥ iZ ≥ I Z M

d)

I Z m ≤ iZ ≥ I Z M

39. 2p

În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea unei diode redresoare. Cele mai uzuale limitări sunt: a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea de străpungere); b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiunea nominală de stabilizare) c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală de stabilizare) d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul direct maxim admisibil)

40. 2p

În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea unei diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitări sunt: a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea de străpungere); b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiunea nominală de stabilizare) c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală de stabilizare) d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul direct maxim admisibil)

41. 4p

Valoarea curentului IA care circulă prin dioda din figura este aproximativ: R1(1kΏ) (1k)

I (2mA)

R2(1kΏ) (1k) IA D

VA

Figura 1.8

a)

IA b) I A c) I A d) I A

≅ 4 mA ≅ −4 mA ≅ 0 mA ≅ 2 mA

10

IR E (10V)

Elemente de electronică analogică - teste

42. 4p

Căderea de tensiune pe dioda prezentă în circuitul din figura 1.8 este aproximativ: a) VA = −10 V b) VA = −8 V

VA = 8 V d) VA = 10 V c)

43. 3p

Condiţia de semnal mic pentru o diodă semiconductoare este îndeplinită dacă: a) semnalul pe diodă este mai mic de 2.5 mV b) semnalul pe diodă este mai mic de 10 mV c) semnalul pe diodă este mai mic de 25 mV d) semnalul pe diodă este mai mic de 100 mV

44. 3p

Conductanţa de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea: a) b) c) d)

45. 3p

g a [mS ] = 25 I A [mA] g a [mS ] = 2.5 I A [mA] g a [mS ] = 4 I A [mA]

g a [mS ] = 40 I A [mA]

Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucrează în regim cvasistatic de semnal mic este: a) ia = g a va b) i = I exp v A  − 1 A S   c)

  eT  ia = g a va −1



d) i = I exp v A  A S   

46. 3p

 eT 

Schema echivalentă a unei diode semiconductoare care lucrează în regim cvasistatic de semnal mic este: a.) b.) c.) d.) Ca A

ga

C

A

ga

A

C

11

C

A

C

Dida semiconductoare „p-n”

Răspunsuri 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24.

Răspuns corect: d.) Răspuns corect: c.) Răspuns corect: a.) Răspuns corect: b.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.) Răspuns corect c.) Răspuns corect d.) Răspuns corect b.) Răspuns corect a.) Răspuns corect c.) Răspuns corect b.) Răspuns corect d.) Răspuns corect d.) Răspuns corect a.) Răspuns corect a.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.) Răspuns corect c.) Răspuns corect b.) Răspuns corect b.)

24. 25. 26. 27. 28. 29. 30. 31. 32. 33. 34. 35. 36. 37. 38. 39. 40. 41. 42. 43. 44. 45. 46.

Răspuns corect b.) Răspuns corect c.) Răspuns corect b.) Răspuns corect a.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.) Răspuns corect c.) Răspuns corect d.) Răspuns corect d.) Răspuns corect c.) Răspuns corect c.) Răspuns corect a.) Răspuns corect d.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.) Răspuns corect c.) Răspuns corect b.) Răspuns corect b.) Răspuns corect d.) Răspuns corect a.) Răspuns corect b.)

12